英特尔自旋电子学技术获新进展 芯片尺寸可缩小5倍能耗降低至多30倍
北京时间12月4日消息，英特尔在一项被称作自旋电子学的技术方面取得了进展，未来芯片尺寸可缩小5倍，能耗可降低至多30倍。
当地时间星期一，英特尔和加州大学伯克利分校研究人员阐述了他们在自旋电子学方面的最新进展，未来芯片尺寸将在当前基础上缩小5倍，能耗将降低10至30倍。如果这一技术能成功商业化——这还是个大大的问号，它将为芯片产业带来新活力。
目前的计算机芯片利用微型开关（晶体管）处理数据，自旋电子学能完成相似的任务，但元器件尺寸更小、更节能。
英特尔元件研究机构项目负责人萨思堪斯·马尼帕特鲁尼（sasikanth manipatruni）在一份声明中说，“我们在努力在产业和晶体管研究领域引发新一轮创新。”《自然》杂志星期一发表了这项研究论文，马尼帕特鲁尼是第一作者。
自旋是量子力学的一种基本属性，电子像微型磁铁一样运动，有北极和南极，磁场方向——向上或向下——可以改变的，从而用来存储或处理数据。英特尔-加州大学的论文研究如何利用自旋处理数据。
数十年来，芯片依赖于一种被称作cmos的技术。随着元器件尺寸日趋接近单个原子大小，芯片的发展遇到了天花板。
英特尔-加州大学的研究被称作meso，利用了被称作多铁性材料的物质的自旋性质。
研究人员表示，与cmos晶体管相比，meso芯片对能耗的要求要低得多，因为它们不需要电能就能保持信息，提供在空闲时更节能的休眠状态。
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