NP2102EKR(20 v n沟道增强型MOSFET)
描述
np2102ekr设计最小化开态电阻(rds(上)),但维护优越的切换性能,使它适合高效率电源管理应用程序。
一般特征
vds =20v，id =750ma
rds(上)(typ) = 0.25Ω@vgs = 10 v
rds(上)(typ) = 0.35Ω@vgs = 4.5 v
high 功率 和 电流 处理 能力
lead 免费 产品
surface 安装 包
esd rating: 2000 v hbm
应用程序
pwm程序
负荷开关
封装
sot - 523
原理图
标记和引脚分配
订购信息
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