ASML的EUV光刻机已成台积电未来发展的“逆鳞”
台积电是第一家将euv（极紫外）光刻工艺商用到晶圆代工的企业，目前投产的工艺包括n7+、n6和n5三代。
其中n7+即第二代7nm，euv总计4层。即便如此，这也相较于多重曝光也节省了时间，提高了芯片的生产效率。
不过，迭代到5nm后，euv的层数达到了14层，包括但不限于触点、过孔以及关键金属层等过程。
而最快2022年投产的3nm，为了实现15%的性能提升、30%的功耗下降以及70%的密度增加，asml（阿斯麦）透露，euv将超过20层，也就是鳍片和栅极都要引入euv切割掩模。
阿斯麦ceo peter wennink表示，euv层数增加有很多好处，比如只需要单重曝光而不是duv设备的多重曝光，对dram芯片同样如此。
为此，台积电将需要确保euv光刻机的安装数量，但他们显得非常有信心。
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