介绍关于SRAM读写中“写操作”的分析
目前针对不同的应用市场，sram产品的技术发展已经呈现出了两大趋势：一是向高性能通信网络所需的高速器件发展，由于读写速度快，sram存储器被用作计算机中的高速缓存，提高它的读写速度对于充分发挥微处理器的优势，改善处理器性能有着积极的意义。
另一个是降低功耗，以适应蓬勃发展的便携式应用市场。英尚微电子介绍关于sram读写中“写操作”分析。
sram写操作分析
写操作与读操作正好相反，它要使存储单元的状态按照写入的数据进行相应的翻转。如图1 表示了六管单元的写操作示意图。
位线bit_在写操作开始时被驱动到低电平。在字线打开传输管后，n3 与p1 管在bit 与高电平vdd 之间形成分压。为了写操作的成功，也就是下拉节点a 至足够的低电平，启动反相器p2/n2放大新数据，传输管n3 应该比p1 管有更好的导通性。
一旦反相器p2/n2 开始放大节点a 上的低电压，也就是节点a 上的下拉管n2 被关闭，上拉管p2 被打开，节点b 的电压将上升，反相器p1/n1 也将被启动，节点a 在正反馈作用下进一步向gnd 转化，写操作被加速。
图1 六管单元的写操作
在六管单元的写操作中，外部电路驱动两个互补的信号到位线bit 和bit_上，字线驱动器驱动字线row 到高电平，位线信号经两个传输管写入存储节点。
如图1 所示的正是向存有“1”的单元写“0”的情况，也就是把a 点的电平由vdd 下拉至gnd。
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