光刻中接触孔和沟槽的双重构图策略
摘要
一种光刻图案化方法包括在基板上形成第一抗蚀剂图案，第一抗蚀剂图案在基板上包括多个开口；在基板上以及在第一抗蚀剂图案的多个开口内形成第二抗蚀剂图案，第二抗蚀剂图案在基板上包括至少一个开口。去除第一抗蚀剂图案以露出第一抗蚀剂图案下方的基板。
背景
半导体技术不断发展到更小的特征尺寸，例如缩小到 65 纳米、45 纳米及以下的特征尺寸。用于产生如此小的特征尺寸的图案化光刻胶（抗蚀剂）层通常具有高纵横比。由于各种原因，尤其是对于具有高纵横比的抗蚀剂层，保持所需的临界尺寸 (cd) 可能非常困难。引入双重图案化工艺以形成具有更小尺寸的各种特征。然而，传统的双重图案化工艺涉及多个蚀刻工艺，制造成本高且产量低。
详细说明
应当理解，以下公开提供了许多不同的实施例或示例，用于实现各种实施例的不同特征。下面描述部件和布置的具体示例以简化本公开。当然，这些仅是 55 个示例，并非旨在进行限制。例如，在以下描述中在第二特征之上或之上形成第一特征可以包括其中第一和第二特征直接接触形成的实施例，并且还可以包括其中可以在之间形成另外的60个特征的实施例。第一和第二特征，使得第一和第二特征可以不直接接触。此外，本公开可以在各种示例中重复参考数字和/或字母。
底层材料层可以包括在各种应用中具有不同功能的多个膜。在一实施例中，在基板 上形成材料层 。材料层112包括介电材料。在一个示例中，材料层 包括氧化硅和/或低介电常数（低k）材料。在其他实例中，材料层112可包括硅、多晶硅、介电材料、导电材料或其组合。材料层的厚度可介于约100埃至约9000埃之间。在一实例中，材料层的厚度范围介于约1000埃至3500埃之间。在一实施例中，材料层112包括介电材料fbr层间介电(ild)或金属间介电(imd)。
结论
本文还提供了双重图案化方法的另一个实施例。该方法包括在基板上形成正抗蚀剂图案，该正抗蚀剂图案包括多个正抗蚀剂特征；在衬底上和由多个正抗蚀剂特征限定的开口内形成负抗蚀剂层，其中正抗蚀剂图案包括基本上没有负抗蚀剂层的顶面；暴露负抗蚀剂层，在衬底上定义多个未暴露的负抗蚀剂特征；并施加溶剂以去除正抗蚀剂图案。
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详细说明
应当理解，以下公开提供了许多不同的实施例或示例，用于实现各种实施例的不同特征。下面描述部件和布置的具体示例以简化本公开。当然，这些仅是 55 个示例，并非旨在进行限制。例如，在以下描述中在第二特征之上或之上形成第一特征可以包括其中第一和第二特征直接接触形成的实施例，并且还可以包括其中可以在之间形成另外的60个特征的实施例。第一和第二特征，使得第一和第二特征可以不直接接触。此外，本公开可以在各种示例中重复参考数字和/或字母。
底层材料层可以包括在各种应用中具有不同功能的多个膜。在一实施例中，在基板 上形成材料层 。材料层112包括介电材料。在一个示例中，材料层 包括氧化硅和/或低介电常数（低k）材料。在其他实例中，材料层112可包括硅、多晶硅、介电材料、导电材料或其组合。材料层的厚度可介于约100埃至约9000埃之间。在一实例中，材料层的厚度范围介于约1000埃至3500埃之间。在一实施例中，材料层112包括介电材料fbr层间介电(ild)或金属间介电(imd)。
结论
本文还提供了双重图案化方法的另一个实施例。该方法包括在基板上形成正抗蚀剂图案，该正抗蚀剂图案包括多个正抗蚀剂特征；在衬底上和由多个正抗蚀剂特征限定的开口内形成负抗蚀剂层，其中正抗蚀剂图案包括基本上没有负抗蚀剂层的顶面；暴露负抗蚀剂层，在衬底上定义多个未暴露的负抗蚀剂特征；并施加溶剂以去除正抗蚀剂图案。
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