IGBT的识别方法及应用电路
igbt的英文全称是insulated gate bipolar transistor，译为绝缘栅双极型晶体管。igbt是由场效应管和大功率双极型三极管构成的，igbt将场效应管的开关速度快、高频特性好、热稳定性好、功率增益大及噪声小等优点与双极型大功率三极管的大电流、低导通电阻特性集于一体，是性能较高的高速、高压半导体功率器件。
igbt识别
常见的igbt的名称、功能、特性、电路符号、实物外形如表2-11所示。
表2-11 常见igbt的名称、功能、特性、电路符号、实物外形
表2-11
igbt典型应用电路
电磁炉采用的一种典型的igbt应用电路如图2-26所示。该电路的核心元器件是功率管igbt、谐振电容c2、谐振线圈（线盘）l2、阻尼管vd。
提示
由于c2与l2并联，所以主回路组成的谐振回路为电压谐振，又因igbt的集电极、发射极两端接有阻尼管 vd，所以该谐振回路属于准谐振回路。对于熟悉彩色电视机行输出电路原理的维修人员，该电路的原理可谓一目了然。
图2-26
图2-26 功率变换器及谐振波形
t 1 ～ t 2 期间，高电平激励脉冲加至igbt的栅极使它饱和导通，300v电压通过l2和igbt的集电极、发射极构成导通回路，因流过电感的电流不能突变，所以igbt的集电极电流 i c （ i 1 ）在 t 1 ～ t 2 期间线性增大，使l2产生左正、右负的电动势，到达 t 2 时刻电流达最大。
t 2 ～ t 3 期间，由于激励脉冲变为低电平，igbt截止，由于 i c 不能突变为0，所以l2通过自感产生右正、左负的电动势以阻止电流的突变，该电动势对 c2 充电，充电电压由低逐渐升高，实现功率管的零电压关断，即igbt关断瞬间它的集电极电压最低。c2充电产生电流 i 2 ，到达 t 3 时刻 i 2 变为0，c2右端电压达到最大，它与c1两端电压叠加后加到igbt的集电极、发射极，此电压就是igbt截止期间产生的反峰电压，相当于彩色电视机中行输出管集电极上产生的逆程电压。
t 3 ～ t 4 期间，由于igbt继续截止，所以c2存储的电压通过l2放电，产生放电电流 i 3 ，当 i 3 达到负的最大值，c2放电结束，它存储的电能又转为l2中的磁能。
t 4 ～ t 5 期间，因 i 3 不能突变为0，于是l2再次产生左正、右负的电动势，该电动势通过c1和阻尼管vd构成的回放电路，放电不仅可阻止振荡的持续进行，而且产生电流 i 4 为c1补充能量，当电流 i 4 为0时放电结束。 t 5 时刻，igbt在高电平激励脉冲作用下再次导通，实现功率管的零电压导通。igbt导通后，产生导通电流 i 5 ，重复以上过程，在线盘l2上就产生了和激励脉冲工作频率 f （20～30khz）相同的脉冲电流。
综上所述，在一个谐振周期内，只有导通电流 i 1 是电源供给l2 的能量，所以加热功率的大小主要取决于 i 1 的大小。因 i 1 与igbt的导通时间成正比，所以通过调节激励脉冲的宽度就可实现加热功率的调节，当占空比大时 igbt 导通时间延长， i 1 增大，输出功率大;反之结果相反。
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常见的igbt的名称、功能、特性、电路符号、实物外形如表2-11所示。
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电磁炉采用的一种典型的igbt应用电路如图2-26所示。该电路的核心元器件是功率管igbt、谐振电容c2、谐振线圈（线盘）l2、阻尼管vd。
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图2-26
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t 3 ～ t 4 期间，由于igbt继续截止，所以c2存储的电压通过l2放电，产生放电电流 i 3 ，当 i 3 达到负的最大值，c2放电结束，它存储的电能又转为l2中的磁能。
t 4 ～ t 5 期间，因 i 3 不能突变为0，于是l2再次产生左正、右负的电动势，该电动势通过c1和阻尼管vd构成的回放电路，放电不仅可阻止振荡的持续进行，而且产生电流 i 4 为c1补充能量，当电流 i 4 为0时放电结束。 t 5 时刻，igbt在高电平激励脉冲作用下再次导通，实现功率管的零电压导通。igbt导通后，产生导通电流 i 5 ，重复以上过程，在线盘l2上就产生了和激励脉冲工作频率 f （20～30khz）相同的脉冲电流。
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