日企聚焦GaN功率元件,耐压600V产品成主流

si之后的新一代功率半导体材料的开发在日本愈发活跃。进入2013年以后,日本各大企业相继发布了采用sic和gan的功率元件新产品,还有不少企业宣布涉足功率元件业务。(图1)。
其中,变化较大的是gan功率元件。最近,耐压600v的新款gan功率晶体管纷纷亮相。耐压600v的功率晶体管可用于空调和电磁炉等白家电、混合动力汽车和纯电动汽车的逆变器、太阳能发电系统中的功率调节器,以及工业设备中使用的输出功率为数百w~数十kw的电力转换器。
这些用途对高效和小型化的需求不断高涨,因此,与原来的si制igbt和mosfet相比,电力损失较小且可实现小型化的gan功率晶体管,受到了业界的热切关注注1)。
注1)例如,安川电机试制出了采用gan晶体管的家用电源调节器,并宣布2014年投产。
图1:企业纷纷发布新一代功率元件新产品
进入2013年以后,日本企业纷纷发布利用gan和sic的功率元件产品。其中,gan功率元件相关措施大幅增加。
伴随着耐压600v的gan功率晶体管的不断面世,设备厂商不仅有了更多的部件可选性,而且多家gan功率元件厂商的相互竞争,还使得价格越来越低,形成了更加便于采用gan功率晶体管的局面。
此前,gan功率晶体管产品的耐压多为200v以下,耐压600v产品达到实用水平的只有美国transphorm公司一家。此次,松下和夏普宣布全新涉足gan功率元件业务,并发布了使用6英寸口径si基板的新产品(表1)。松下于2013年3月,夏普于4月15日已经分别开始样品供货耐压600v产品。
另一方面,之前一直利用sic基板的transphorm也发布了使用6英寸口径si基板制作的600v耐压gan功率晶体管,并于2013年3月开始销售注2)。
注2)transphorm还推出了gan功率二极管产品。另外,该公司还与日本英达就gan功率元件的量产和销售进行合作,在日本英达的筑波事务所引进了支持8英寸口径的前工序生产线。
除松下、夏普及transphorm外,富士通半导体预定2013年下半年上市采用si基板的耐压600v产品,美国国际整流器公司(international rectifier,ir)和美国epc也在致力于研发耐压600v的产品。
可常闭工作
另外,对于gan功率晶体管来说,此前元件很难实现“常闭工作”,但此次却投产了可实现“常闭工作”的产品(图2)。常闭工作是指只有在栅极施加电压时才导通,这是电力转换器出于安全考虑需求强烈的一个功能。
图2:常闭工作的实现方法有2种
横型gan功率晶体管实现常闭工作的方法大致有2种。通过元件本身或级联方式实现。二者均有利弊。左侧是松下元件的概略图。
此前的元件为常开工作,通过级联耐压数十v的si mosfet,与gan功率晶体管集成在一个封装内。这种构造虽然可轻松沿用现有si制元件的栅极驱动电路,但开关频率很难以数百k~数mhz的高频工作。而gan正好具有这样的高频响应特点。
相反,如果元件可以常闭工作的话,则便于在高频状态下工作注3)。向市场投放可实现常闭工作产品的是松下。常闭工作有多种实现方法,松下采用了在栅极正下方设置p型algan层的方法。与其他实现方法相比,该方法更易降低导通电阻。松下产品的导通电阻为65mω,为级联产品的一半左右。
注3)不过,可实现常闭工作的gan功率晶体管的阈值电压较低。阈值电压越低,就越有可能受到电磁噪声导致的误动作的影响。
除松下以外,epc和富士通半导体也在致力于开发常闭工作的实际产品。
激烈的价格竞争
随着gan产品数量的增加,设备厂商的选择范围越来越大,而从事gan功率元件业务的半导体厂商,今后则将面临激烈的价格竞争。这是因为,gan功率元件市场一旦成立,韩国、中国大陆及***等亚洲地区的半导体厂商均有可能涉足该业务。由于可以沿用此前逻辑lsi等利用的、支持6~8英寸口径si基板的制造装置,以及面向led等引进的gan类半导体的外延装置等,能够轻松涉足这一市场。为了避免与存储器和led等同样的厄运,日本企业必须制定周密的业务战略,包括构筑海外生产基地等。

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