开关电源适配器芯片12V1ADK112低功耗驱动芯片电路设计

开关电源适配器芯片12v1adk112电路图参考设计高功率
开关电源控制芯片dk112 是次级反馈,反激式 ac-dc 离线式开关电源控制芯片。芯片采
用高集成度的 cmos 电路设计,具有输出短路、次级开路、过温、过压等保护功能。芯片
内置高压功率管和自供电线路,具有外围元件极少,变压器设计简单(隔离输出电路的变压器只需要两个绕组)等特点。
开关电源控制芯片dk112产品特点
l全电压输入 85v—265v。
l内置 700v 功率管。
l芯片内集成了高压恒流启动电路,无需外部启动电阻。
l专利的自供电技术,无需外部绕组供电。
l待机功耗小于 0.3w。
l65khz pwm 开关频率。
l内置变频功能,待机时自动降低工作频率,在满足欧洲绿色能源标准( < 0.3w同时,降
低了输出电压的纹波。
内置斜坡补偿电路,保证在低电压及大功率输出时的电路稳定。
频率抖动降低 emi 滤波成本。
过温、过流、过压以及输出短路,次级开路保护。
4kv 防静电 esd 测试。
工作原理
开关电源dk112上电启动:
芯片内置高压启动电流源;上电启动时当 vdd 电压小于启动电压时,打开三极管对外部的
vdd 储能电容充电。当 vdd 电压达到 4.9v 启动电压的时候,关闭启动电流源,启动过程
结束,控制逻辑开始输出 pwm 脉冲。
开关电源dk112软启动:
上电启动结束后,为防止输出电压建立过程可能产生的变压器磁芯饱和,功率管和次级整
流管应力过大,芯片内置 4ms 软启动电路,在前 4ms 内,最大初级峰值电流为330ma,
时钟频率为 65k。启动结束后,最大初级峰值电流为 660ma,时钟频率为 65k。
dk112 pwm 输出:
一个 pwm 周期由 3 部分组成:1 是电感充电(开关管开通)阶段
开关电源控制芯片dk112应用领域:
12w 以下 ac-dc 应用包括:电源适配器、充电器、led 电源、电磁炉、空调、dvd、机顶
盒等家电产品。
供电电压 vdd …………………………………………   -0.3v--8v
供电电流 vdd …………………………………………    100ma
引脚电压   ……………………………………………  -0.3v--vdd+0.3v
功率管耐压  …………………………………………  -0.3v--730v
峰值电流
………………………………………………………………  800ma
总耗散功率
……………………………………………………………
1000mw
工作温度  …………………………………………
-25°c--+125°c
-55°c--+150°c
+280°c/5s
储存温度  …………………………………………………
焊接温度
…………………………………………………………………
上电启动:
芯片内置高压启动电流源;上电启动时当vdd电压小于启动电压时,打开三极管对
外部的vdd储能电容充电。当vdd电压达到4.9v启动电压的时候,关闭启动电流源,启
动过程结束,控制逻辑开始输出pwm脉冲。
软启动:
上电启动结束后,为防止输出电压建立过程可能产生的变压器磁芯饱和,功率管和
次级整流管应力过大,芯片内置4ms软启动电路,在前4ms内,最大初级峰值电流为
330ma,时钟频率为65k。启动结束后,最大初级峰值电流为660ma,时钟频率为65k。
b检测和反馈控制:
fb引脚外部连接一只电容,以平滑fb电压,外接电容会影响到电路的反馈瞬态特
性及电路的稳定工作,典型应用可在1nf~10nf之间选择;
当fb电压低于1.6v,最大ip电流为660ma;
当fb电压从1.6v逐渐上升到2.8v时,ip电流从最大电流660ma逐渐减小到
当fb电压高于1.6v到2.8v,工作频率固定为65khz。
当fb电压从2.8v到3.6v时,随fb电压升高工作频率逐渐降低。
当fb电压大于3.6v时,电路将停止pwm输出。

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