英飞凌推出首款采用OptiMOS 7技术的15 V沟槽功率MOSFET
英飞凌推出业内首款采用全新 optimos 7 技术的 15 v 沟槽功率 mosfet。这项技术经过系统和应用优化，主要应用于服务器和计算应用中的低输出电压 dc-dc 转换。英飞凌是首家推出15 v 功率 mosfet 的半导体制造商，采用全新系统和应用优化的optimos 7 mosfet 技术。新产品创建行业新基准，我们使客户能够在低输出电压的 dc-dc 转换领域迈出新的一步, 释放更优秀系统效率和性能，赋能未来。
与 optimos 5 25 v 相比，更低的击穿电压可显著降低通态电阻rds(on)和 fomqg/fomqoss ，成为同类最佳的产品。可选的组合包括 pqfn 3.3x3.3 mm2源极底置封装（带底部和双面散热型）、衬底上的标准栅和中心栅电极，可灵活优化的 pcb 布局设计，以及紧凑的超小型pqfn 2x2 mm2封装。脉冲电流能力超过 500 a，rthjc为 1.6 k/w。结合源极底置封装，不仅降低了导通和开关损耗，同时简化散热管理，还将功率密度和效率推向了新高度。该产品系列为支持数据中心配电架构的新趋势（如48:1 dc-dc 转换）提供了飞跃性的支持，开启服务器、数据通信和人工智能应用升级的新篇章，同时最大限度地减少了碳足迹。
主要特点
业内首款 15 v 沟槽功率 mosfet
与 25 v 节点相比，rds(on) 达到新基准
出色的 fomqg/ fomqoss
极低的寄生效应
提供标准和中心栅极引脚
可选双面散热型
主要优势
适用于高转换率dc-dc 转换器
降低导通/开关损耗
最佳开关性能和低过冲
源极底置中心栅极可优化并联电路布局
源极底置标准栅极可与现有pcb 布局轻松匹配
双面散热，提高散热性能
价值主张
适用于高比率 dc-dc 转换器：
业内首款工业级 15v 垂直沟槽技术功率mosfet
与 optimos 5 25v 相比，rds(on),max4,5 降低 30%
出色的 fomqoss 和 fomqg
紧凑的pqfn 2x2 mm2封装
id（pulse）=516a，rthjcmax=3.2k/w
双面散热pqfn 3.3x3.3 mm2源极底置封装：
- 简化散热管理
- 降低系统温度
提高功率密度
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与 optimos 5 25 v 相比，更低的击穿电压可显著降低通态电阻rds(on)和 fomqg/fomqoss ，成为同类最佳的产品。可选的组合包括 pqfn 3.3x3.3 mm2源极底置封装（带底部和双面散热型）、衬底上的标准栅和中心栅电极，可灵活优化的 pcb 布局设计，以及紧凑的超小型pqfn 2x2 mm2封装。脉冲电流能力超过 500 a，rthjc为 1.6 k/w。结合源极底置封装，不仅降低了导通和开关损耗，同时简化散热管理，还将功率密度和效率推向了新高度。该产品系列为支持数据中心配电架构的新趋势（如48:1 dc-dc 转换）提供了飞跃性的支持，开启服务器、数据通信和人工智能应用升级的新篇章，同时最大限度地减少了碳足迹。
主要特点
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与 25 v 节点相比，rds(on) 达到新基准
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主要优势
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