关于华虹宏力对功率技术的投入分析
开展首日，来自华虹宏力研发部门的邢军军科长便已在“第二届(上海)电源半导体技术论坛”以“深耕卓越功率技术，智造绿色‘芯’未来”为题火热开讲，让我们一起走进现场吧！
ic china2017现场新闻速递：
华虹宏力是全球首家、最大的功率器件8英寸代工厂，在生产功率器件方面拥有15年的良好往绩，可提供全电压解决方案，更是业内首个拥有深沟槽超级结（deep trench super junction，dt-sj）及场截止型igbt（field stop，fs igbt）工艺平台的200mm代工厂。目前，华虹宏力在加速研发适用于高端工业及新能源汽车的igbt技术。
igbt技术随着绿色能源、工业4.0及新能源汽车等市场的发展，需求日益旺盛，引起了业界广泛关注。华虹宏力拥有国内最全、最先进的全套igbt背面制程代工技术，可生产技术性能与国际领先者的产品相比肩的场截止型igbt。邢军军科长表示：“通过设备升级、改造，华虹宏力成功配置了一整套igbt超薄片（可生产至60微米薄片）背面工艺/测试生产线，成功实现量产。配合独特的激光退火工艺用于背面注入杂质激活，大大提高背面注入杂质的激活率。”此外，华虹宏力的igbt采用了fs/spt/lpt（软穿通）纵向结构器件及沟槽栅栅结构，有效降低了损耗和降低生产成本。
超级结产品作为一种新型的功率型mosfet结构，拥有极低的传导损耗和极快的开关速度，在工业电源、逆变器、快速充电器、电动车充电桩等传统和新兴领域有着诸多应用。华虹宏力独特的、富有竞争力的dt-sj工艺享有加工周期短，费用低，光罩层数少（一般8~9层photo layer）等显著优势。“今年年初，华虹宏力又推出了第三代 super junction平台。”邢军军科长介绍道，“该平台每单元区域导通电阻（rsp）为1.2ohm.m㎡，技术参数达到了业界一流水平。”华虹宏力还将深耕超级结技术，持续往高耐压（~1000v）/大电流（~40a）驱动方向发展，延续其“全球功率器件领导者”的战略布局。
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