国芯思辰｜基本半导体650V 20A碳化硅肖特基二极管B1D20065K替代IDH20G65C5应用于PFC电路
pfc电路广泛应用于高频开关电源（特别是通信电源）中。现阶段，pfc电路多采用硅基材料，由于硅基材料的限制，电源的损耗较大，效率偏低。
在电源的pfc电路中，将硅基肖特基二极管直接替换为碳化硅肖特基二极管，可以减小损耗，减小了对周围电路的电磁干扰，提高电源的可靠性，满足严格的电源能效认证要求。
一般来说，我们都希望在单相pfc电路中的二极管d1的反向恢复时间越短越好。上图pfc的二极管反向恢复损耗会引发mosfet的开通损耗，也会产生电磁干扰。因此，在一个通信电源的pfc电路中，我们使用碳化硅肖特基b1d20065k来替代普通的二极管。
b1d20065k采用to-220-2封装，是650v 20a的碳化硅肖特基二极管，具体参数如下：
反向重复峰值电压(vrrm)：650v
反向浪涌峰值电压(vrsm)：650v
正向平均电流(if)：20a
正向不重复峰值电流(ifsm)：150a
耗散功率(ptot)：235w
工作温度(tj)：-55~175℃
正向压降(vf)：1.42v@6a
反向电流(ir)：1μa@650v
总存储电荷(qc)：64nc
b1d20065k的总电容电荷qc为64nc，极小的反向恢复电荷，实现高速开关，同时降低开关损耗，有效提高电源整体系统效率。
此外，b1d20065k可替代完美科锐的cvfd20065a、罗姆的scs220ag、英飞凌的idh20g65c5、意法半导体的stpsc20065d以及安森美的ffsp2065a，是一个非常理想的pfc电路应用解决方案。
注：如涉及作品版权问题，请联系删除。
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一般来说，我们都希望在单相pfc电路中的二极管d1的反向恢复时间越短越好。上图pfc的二极管反向恢复损耗会引发mosfet的开通损耗，也会产生电磁干扰。因此，在一个通信电源的pfc电路中，我们使用碳化硅肖特基b1d20065k来替代普通的二极管。
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b1d20065k的总电容电荷qc为64nc，极小的反向恢复电荷，实现高速开关，同时降低开关损耗，有效提高电源整体系统效率。
此外，b1d20065k可替代完美科锐的cvfd20065a、罗姆的scs220ag、英飞凌的idh20g65c5、意法半导体的stpsc20065d以及安森美的ffsp2065a，是一个非常理想的pfc电路应用解决方案。
注：如涉及作品版权问题，请联系删除。
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