如何实现低待机功耗?pn8275内置850v 高压启动及放电模块,265vac轻松实现50mw待机功耗!
如何提高转换效率?pn8308h内置80v/10mω 智能功率mosfet,115vac/230vac平均效率大于92%!
如何简化emc设计?pn8275内置x电容放电模块,可通过增大x电容简化传导设计;pn8308h采用独特电流跟踪技术降低sr开关尖峰电压,改善辐射3db以上!
本期,chipown技术团队为大家介绍基于pn8275+pn8308h的12v3a六级能效方案,并分享应用设计要点。
封装及脚位配置图
pn8275是一款集成了高压启动的电流模式的开关电源芯片,结合多模式混合调制技术和x电容放电功能实现六级能效,并符合iec 62368-1:2014标准要求(cb证书编号:dk-76617-ul);pn8275提供了全面保护功能包括输入市电欠压保护、市电过压保护、输出过压保护、otp、ocp、次级整流管短路保护等。
pn8308h包括dcm/ccm模式同步整流控制器及80v/10mω智能功率mosfet,用于在9-20v的反激系统中替代次级整流肖特基二极管。pn8308h外围精简,采用独特电流跟踪技术,可在50ns内快速关断,改善系统emi特性,彻底避免直通损坏并降低sr开关尖峰电压。
pn8275
pn8308h
demo实物图
方案典型应用图
方案特性
pcba尺寸:39.0mm*86.0mm
输入电压:90~265vac全电压
输出功率:36w(typical)
平均效率:≥88.3%(满足coc v5 tier2六级能效要求)
待机功耗:0.7,相比psr产品(通常dmax限定在0.5以内),支持大匝比和小输入电容设计。
3变压器设计
第一步:在高压输入(vg2=300v,fs=65khz)&额定负载下设定变压器n及lp,使其反激变换器在临界模式工作,第一谷底附近开通,且在idlimit工作点变压器不饱和。
第二步:在低压输入(vg1=90v,fs=65khz)&额定负载,计算krp及dmax,设定变压器原副边绕组线径及圈数,电流密度合理且可绕制。
第三步:设定vcc&屏蔽绕组,选择绕线结构:供电8-40v之间, y电容两端干扰量2v以内。
4dmg参数设置
根据输出ovp电压,再设定r2
r3、r1设定ocp点线电压补偿量
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