只读存储器分几种
只读存储器分几种
1、rom
只读内存（read-only memory）是一种只能读取资料的内存。在制造过程中，将资料以一特制光罩（mask）烧录于线路中，其资料内容在写入后就不能更改，所以有时又称为“光罩式只读内存”（mask rom）。此内存的制造成本较低，常用于电脑中的开机启动。
2、可编程只读存储器
可编程只读存储器（英文：programmable rom，简称：prom）一般可编程一次。prom存储器出厂时各个存储单元皆为1，或皆为0。用户使用时，再使用编程的方法使prom存储所需要的数据。
prom需要用电和光照的方法来编写与存放的程序和信息。但仅仅只能编写一次，第一次写入的信息就被永久性地保存起来。例如，双极性prom有两种结构：一种是熔丝烧断型，一种是pn结击穿型。它们只能进行一次性改写，一旦编程完毕，其内容便是永久性的。由于可靠性差，又是一次性编程，目前较少使用。
3、可编程可擦除只读存储器
可编程可擦除只读存储器（英文：erasable programmable read only memory，简称：eprom）可多次编程。这是一种便于用户根据需要来写入，并能把已写入的内容擦去后再改写，即是一种多次改写的rom。由于能够改写，因此能对写入的信息进行校正，在修改错误后再重新写入。
擦除远存储内容的方法可以采用以下方法：电的方法（称电可改写rom）或用紫外线照射的方法（称光可改写rom）。光可改写rom可利用高电压将资料编程写入，抹除时将线路曝光于紫外线下，则资料可被清空，并且可重复使用。通常在封装外壳上会预留一个石英透明窗以方便曝光。
4、一次编程只读内存
一次编程只读内存（one time programmable read only memory，optrom）之写入原理同eprom，但是为了节省成本，编程写入之后就不再抹除，因此不设置透明窗。
5、电子可擦除可编程只读存储器
电子可擦除可编程只读存储器（英文：electrically erasable programmable read-only memory，简称：eprom）之运作原理类似eprom，但是抹除的方式是使用高电场来完成，因此不需要透明窗。
6、闪速存储器
闪速存储器（英文：flash memory）是英特尔公司90年代中期发明的一种高密度、非易失性的读/写半导体存储器它既有eeprom的特点，又有ram的特点，因而是一种全新的存储结构。
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prom需要用电和光照的方法来编写与存放的程序和信息。但仅仅只能编写一次，第一次写入的信息就被永久性地保存起来。例如，双极性prom有两种结构：一种是熔丝烧断型，一种是pn结击穿型。它们只能进行一次性改写，一旦编程完毕，其内容便是永久性的。由于可靠性差，又是一次性编程，目前较少使用。
3、可编程可擦除只读存储器
可编程可擦除只读存储器（英文：erasable programmable read only memory，简称：eprom）可多次编程。这是一种便于用户根据需要来写入，并能把已写入的内容擦去后再改写，即是一种多次改写的rom。由于能够改写，因此能对写入的信息进行校正，在修改错误后再重新写入。
擦除远存储内容的方法可以采用以下方法：电的方法（称电可改写rom）或用紫外线照射的方法（称光可改写rom）。光可改写rom可利用高电压将资料编程写入，抹除时将线路曝光于紫外线下，则资料可被清空，并且可重复使用。通常在封装外壳上会预留一个石英透明窗以方便曝光。
4、一次编程只读内存
一次编程只读内存（one time programmable read only memory，optrom）之写入原理同eprom，但是为了节省成本，编程写入之后就不再抹除，因此不设置透明窗。
5、电子可擦除可编程只读存储器
电子可擦除可编程只读存储器（英文：electrically erasable programmable read-only memory，简称：eprom）之运作原理类似eprom，但是抹除的方式是使用高电场来完成，因此不需要透明窗。
6、闪速存储器
闪速存储器（英文：flash memory）是英特尔公司90年代中期发明的一种高密度、非易失性的读/写半导体存储器它既有eeprom的特点，又有ram的特点，因而是一种全新的存储结构。
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