富能功率半导体8英寸项目一期实现产品下线
据济南日报报道，1月27日，富能功率半导体8英寸项目一期实现产品下线，标志着山东首条芯片加工制造线进入实际生产阶段，补齐了山东省集成电路产业的短板。
富能功率半导体项目规划总占地面积630亩，共分三期建设，据了解，富能功率半导体项目生产的各类晶体管产品，可广泛应用于消费电子、新能源装备和汽车电子等领域。根据此前的资料，富能功率半导体项目是济南市2020年重点项目名单，项目规划建设月产10万片的两座8英寸厂及一座月产5万片的12英寸厂，第一期投入60亿元。
本次投产的8英寸厂为项目一期，2019年开工建设，2020年12月底首条产线建设完毕。项目第一期一阶段投产后将有望达到年产36万片8英寸硅基功率器件(mosfet super junction igbt)和1万片6寸碳化硅功率器件(sic mosfet)的生产能力。
济南日报指出，这将显著提升济南芯片制造产业发展实力，为“工业强市”战略注入强劲动力的同时，还将打破国外垄断，实现国产芯片的有效替代。
资料显示，济南富能半导体有限公司成立于2018年11月，是一家致力于深耕半导体产业的idm公司，专注半导体能源器件、芯片及模组产品的开发和生产。济南网2020年6月曾报道，未来五年，富能将从高端硅和碳化硅等产品切入市场，有效实现进口替代，五年后年营业额达100亿人民币，力争在10年内达到国际一流半导体生产企业水平。
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本次投产的8英寸厂为项目一期，2019年开工建设，2020年12月底首条产线建设完毕。项目第一期一阶段投产后将有望达到年产36万片8英寸硅基功率器件(mosfet super junction igbt)和1万片6寸碳化硅功率器件(sic mosfet)的生产能力。
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