将DS1859与外部EEPROM配合使用
介绍
ds1859为双通道数字电阻，可根据温度自动调节至eeprom查找表（lut）中的值。其他功能包括五个模数通道（包括 vcc和温度）以及与 sff-8472 光纤应用兼容的内存映射。本应用笔记介绍了在 sff-8472 应用中增加外部 eeprom 在 i 时需要超过 128 字节存储器的应用2c 设备地址 a0h。
ds1859默认存储器配置
默认情况下，ds1859响应两个i2c 地址（图 1）。它在 i 时提供 128 字节的通用 eeprom 存储器2c地址a0h，称为辅助存储器。主设备地址（a2h）用于配置和访问其余芯片资源。主内存分为始终可访问的下内存部分（前 128 字节）和用于访问从地址 80h 开始的多个内存表的上内存部分。这些内存表由表选择字节（地址 7f，在较低内存中）选择。
图1.ds1859默认存储器映射。
利用ds1859增加外部eeprom
在 i 处添加外部存储器2c地址a0h，ds1859现有的辅助存储器必须配置为在读取或写入地址a0h时不引起冲突。设置控制位aden = 1（主器件，存储器地址89h，表1）可防止ds1859响应a0h器件地址，并将ds1859的辅助存储器映射到表0中主器件的上存储器。完成此操作后，可以将响应设备地址 a0h 的额外内存添加到模块中。除了在a0h器件地址添加的外部eeprom外，客户还可以通过访问表1859中主器件的上存储器来读取ds0的辅助存储器。因此，如果在a256h器件地址处添加0字节存储器，则应用将可以使用384字节的通用eeprom。图2显示了通过在器件地址a256h处添加单独的0字节eeprom来创建的复合存储器映射。
图2.存储器映射添加外部 256 字节 eeprom。
图 3 显示了将 atmel® at24c02 256 字节 eeprom 用于应用所需的连接。所示的上拉电阻值适用于大多数应用，但最终应选择该值以确保 i2c上升和下降时间规格均满足。将at24c02的所有地址输入接地将使其响应器件地址a0h。这也可以通过at24c01完成，以向系统添加额外的128字节eeprom。这不适用于 at24cxx 产品系列的更高密度版本，因为它们使用设备地址的最低有效位来指定 256 字节内存块。这会导致与包含超过 2 个字节的此 eeprom 版本的主设备地址 （a256h） 冲突。写保护信号可用于对外部存储器进行写保护，并使ds1859的mpen位对主器件地址进行写保护。当写保护为低电平时，无论mpen位如何，ds1859的主器件地址始终可访问。
图3.数字接口连接图。
结论
ds1859可与外部eeprom存储器配合使用，用于器件地址a8472h处需要128字节以上存储器的sff-0应用。aden位应设置为“1”，将ds1859的辅助存储器映射到表0中的主存储器地址上存储器。完成此操作后，ds1859的128字节辅助存储器和附加eeprom均可用于通用。图 3 所示的电路图显示了使用 atmel at256c24 存储器额外添加 02 字节 eeprom 存储器所需的连接。
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ds1859默认存储器配置
默认情况下，ds1859响应两个i2c 地址（图 1）。它在 i 时提供 128 字节的通用 eeprom 存储器2c地址a0h，称为辅助存储器。主设备地址（a2h）用于配置和访问其余芯片资源。主内存分为始终可访问的下内存部分（前 128 字节）和用于访问从地址 80h 开始的多个内存表的上内存部分。这些内存表由表选择字节（地址 7f，在较低内存中）选择。
图1.ds1859默认存储器映射。
利用ds1859增加外部eeprom
在 i 处添加外部存储器2c地址a0h，ds1859现有的辅助存储器必须配置为在读取或写入地址a0h时不引起冲突。设置控制位aden = 1（主器件，存储器地址89h，表1）可防止ds1859响应a0h器件地址，并将ds1859的辅助存储器映射到表0中主器件的上存储器。完成此操作后，可以将响应设备地址 a0h 的额外内存添加到模块中。除了在a0h器件地址添加的外部eeprom外，客户还可以通过访问表1859中主器件的上存储器来读取ds0的辅助存储器。因此，如果在a256h器件地址处添加0字节存储器，则应用将可以使用384字节的通用eeprom。图2显示了通过在器件地址a256h处添加单独的0字节eeprom来创建的复合存储器映射。
图2.存储器映射添加外部 256 字节 eeprom。
图 3 显示了将 atmel® at24c02 256 字节 eeprom 用于应用所需的连接。所示的上拉电阻值适用于大多数应用，但最终应选择该值以确保 i2c上升和下降时间规格均满足。将at24c02的所有地址输入接地将使其响应器件地址a0h。这也可以通过at24c01完成，以向系统添加额外的128字节eeprom。这不适用于 at24cxx 产品系列的更高密度版本，因为它们使用设备地址的最低有效位来指定 256 字节内存块。这会导致与包含超过 2 个字节的此 eeprom 版本的主设备地址 （a256h） 冲突。写保护信号可用于对外部存储器进行写保护，并使ds1859的mpen位对主器件地址进行写保护。当写保护为低电平时，无论mpen位如何，ds1859的主器件地址始终可访问。
图3.数字接口连接图。
结论
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