扬杰科技推N80V-N85V系列MOSFET产品
扬杰科技最新推出n80v-n85v系列mosfet产品，采用先进的sgt （shield gate trench mosfet） 制程工艺，针对电机驱动、bms等应用设计，优化bvdss、rdson、qg等参数性能同时，提升mosfet抗冲击电流能力。
n80v-n85v系列mosfet产品具有to-220、to-263、to-252、pdfn5060等多种封装形式可以选择。广泛应用于电池管理系统、储能系统、逆变电源系统、电机驱动系统、电源管理系统等，是其核心的功率控制部件。
扬杰科技目前已推出n40v、n60v、n80v-n85v、n100v、n120v等多个sgt工艺系列产品，解决客户的多种应用需求。
产品特点
1.采用sgt工艺，极低的rdson和优异的开关特性，带来更低的fom，减小系统损耗。
2. 和传统trench工艺比ciss/qg参数都有大幅优化，设计mosfet驱动时有更多选择。
3.针对系统应用中的各种异常工作状态，优化mos产品eas特性，提高系统可靠性。
电性参数
应用领域
• pd电源
• 逆变器电源
• 锂电池bms
• 电机驱动
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3.针对系统应用中的各种异常工作状态，优化mos产品eas特性，提高系统可靠性。
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