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应用于高密度电源设计的GaN半导体材料
gan 半导体材料有二种基本结构:纤锌矿(wurtzite, wz)和闪锌矿(zinc blende, zb)。常温常压下惟有纤锌矿结构为稳定相。纤锌矿结构由两套六角密堆积子格子沿c 轴方向平移3c/8 套构而形成,所属空间群为或p63mc。
视频中介绍了氮化镓(gan)功率器件的概述, 以及深入地讨论了如何利用gan产品进行可靠, 高密度gan电路的设计, 特别针对99%效率的pfc以及1mhz的llc电路设计。
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