重磅新品||安森德自研超结（SJ）MOSFET上市
近年来，新能源、智能汽车、智能家居等新产业发展迅速，带动了功率器件尤其是超结（sj）mosfet的强劲需求。然而长期以来，超结（sj）mosfet市场供应被国外企业所主导，但随着全球半导体产业向我国转移，加上国产半导体品牌长期的技术积累，产品不断迭代升级，部分国产功率器件产品的性能和品质，已经可以与国外一线厂商媲美，超结（sj）mosfet国产化需求也将迎来发展机会。
以安森德为代表的国产半导体新锐品牌，抓住国产替代和半导体第三次产业转移的契机，坚持“理论结合实践，技术驱动创新”的发展路线，研发出核心技术自主可控的中低压mosfet、超结（sj）mosfet、sic、gan、sip系统级芯片等产品，可满足多场景差异化应用场景下的客户需求。联系电话：17727437826（微信同号）。
安森德历经多年的技术积累，攻克了多层外延超结（sj）mosfet技术，成功研发出具备自主知识产权的超结（sj）mosfet系列产品，涵盖 600 v、650 v、700 v、800 v 和 950 v mosfet 电压等级，具有出色的超低导通内阻，可提高效率和易用性，同时显著降低开关和传导损耗。
01
安森德多层外延sj mos介绍
安森德自研新品超结（sj） mosfet有良好的兼容性和可靠性，且能够以高性价比满足高效率要求。
安森德多层外延超结（sj）mosfet，通过一层一层淀积硅层，并在每一层上通过离子注入形成p型掺杂，最后通过高温将每一层的p型区连接从而形成最终的p柱结构。相比deep-trench工艺的sj mos，是通过外延设备生长一层几十um的外延层，再通过深槽刻蚀设备刻出深宽比很高的沟槽，采用外延方式将沟槽填充，其过程中因深宽比要求越来越大，会导致在填充时产生一些不规则的空洞，造成芯片在长期高温工作时的可靠性下降。安森德多层外延工艺因其独特的沟槽技术，可有效避免这方面的缺陷。
02
安森德多层外延sj mos优势
效率高
较高的轻载、满载效率，超低的导通内阻、qg，有效的降低导通、开关损耗。
低温升
较低的功耗，有效的降低电源整体的工作温度，延长电源的使用寿命。
稳定性强
强大的eas 能力可以为电源抗冲击提供有效的保证，芯片的内部缺陷远小于低成本的沟槽工艺产品，其高温稳定性大大提高。
内阻低
超结mos具有极低的内阻，在相同的芯片面积下，超结mos芯片的内阻甚至只有传统mos的一半以上。
体积小
在同等电压和电流要求下，超结mos的芯片面积能做到比传统mos更小，可以封装更小尺寸的产品。
03
安森德多层外延sj mos应用
超结（sj）mosfet被广泛应用于电子设备，且应用范围正在不断扩大，成为电子设备不可或缺的重要元器件，其主要应用于服务器电源、充电桩、新能源汽车、光伏、逆变、储能等领域。
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02
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效率高
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低温升
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稳定性强
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内阻低
超结mos具有极低的内阻，在相同的芯片面积下，超结mos芯片的内阻甚至只有传统mos的一半以上。
体积小
在同等电压和电流要求下，超结mos的芯片面积能做到比传统mos更小，可以封装更小尺寸的产品。
03
安森德多层外延sj mos应用
超结（sj）mosfet被广泛应用于电子设备，且应用范围正在不断扩大，成为电子设备不可或缺的重要元器件，其主要应用于服务器电源、充电桩、新能源汽车、光伏、逆变、储能等领域。
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