IEDM：28nm嵌入式MRAM即将问世
包括三星、东芝、海力士等公司的研究团队将在iedm发表有关mram的最新发展。
在今年即将于美国加州举行的国际电子元件会议（iedm）上，来自三星（samsung）、东芝（toshiba）、海力士（sk hynix）等公司的研究团队预计将发表多项有关磁阻式随机存取记忆体（mram）的最新发展。
此外，三星的研发团队以及旗下lsi业务部门显然也将再次发表其致力于开发mems的最新成果。
三星将分别透过口头简报以及海报展示双管齐下的方式，介绍在28nm cmos逻辑制造制程中嵌入8mbit自旋传输（stt） mram等主题。在该公司发表的论文主题中，研究人员们将这种电路形容为具有“高度功能性且十分可靠”。在其摘要中并补充：该公司采用包括创新整合、材料堆叠与图案化技术等途径，成功地将垂直式磁穿隧接面（pmtj）记忆体单元阵列嵌入于铜金属后端，而不至于发生开路故障，同时，磁性能也并未发生严重退化现象。
这种pmtj记忆体单元采用氧化镁/钴铁硼（mgo/cofeb）堆叠，可在完全整合后达到180%的穿隧磁阻值。离子束蚀刻技术用于降低至低于1ppm的短路故障；有趣的是看到离子束蚀刻技术对于生产吞吐量的影响。此外，嵌入式mram巨集具有侧面感应边界限制，资讯储存在摄氏85度下可保留达10年。
依据制造经济来看，这可能是针对低功耗微控制器（mcu）和soc进行选择的过程，因为它们具有切换和保留资料的能力。
而从独立式记忆体端来看，海力士与东芝的研发团队预计将在iedm上发表首款4gbit stt-mram。其发展是根据面积为9f2的记忆体单元，十分接近于dram记忆体的尺寸。该设计针对高隧电阻比而最佳化其pmtj，因而需要低开关电流。此外，研究团队也将介绍克服与制程有关缺陷导致写入错误的各种技术。
everspin technologies inc.在今年的electronica展示基于1gbit pmtj的mram。
此外，同样值得注意的是，美国加州大学洛杉矶分校电子工程系教授pedram khalili-amiri也是这款mram技术的共同作者。该主题并介绍电场控制mram与mram的电压控制等。
pedram khalili-amiri同时也是inston公司的共同创办人与技术长。inston公司获得了两笔小型企业创新研究（sbir）的赞助；其一是在2013年获得149，000美元，进行电场控制磁记忆元件的研究——其非挥发性记忆体位元的切换是由电压（而非自旋极化电流或磁场）进行，用于极低能量耗散的应用。
这些记忆体元件将用于磁电随机存取存记忆体（meram），据称将可提供明显优于stt-mram的优势、高达100倍的能量效率、高达10倍的密度，以及低于10nm的可扩展性。
其次是2014年的一笔749，000美元赞助经费，用于开发电场控制非挥发性磁记忆体晶片与阵列的原型。
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三星将分别透过口头简报以及海报展示双管齐下的方式，介绍在28nm cmos逻辑制造制程中嵌入8mbit自旋传输（stt） mram等主题。在该公司发表的论文主题中，研究人员们将这种电路形容为具有“高度功能性且十分可靠”。在其摘要中并补充：该公司采用包括创新整合、材料堆叠与图案化技术等途径，成功地将垂直式磁穿隧接面（pmtj）记忆体单元阵列嵌入于铜金属后端，而不至于发生开路故障，同时，磁性能也并未发生严重退化现象。
这种pmtj记忆体单元采用氧化镁/钴铁硼（mgo/cofeb）堆叠，可在完全整合后达到180%的穿隧磁阻值。离子束蚀刻技术用于降低至低于1ppm的短路故障；有趣的是看到离子束蚀刻技术对于生产吞吐量的影响。此外，嵌入式mram巨集具有侧面感应边界限制，资讯储存在摄氏85度下可保留达10年。
依据制造经济来看，这可能是针对低功耗微控制器（mcu）和soc进行选择的过程，因为它们具有切换和保留资料的能力。
而从独立式记忆体端来看，海力士与东芝的研发团队预计将在iedm上发表首款4gbit stt-mram。其发展是根据面积为9f2的记忆体单元，十分接近于dram记忆体的尺寸。该设计针对高隧电阻比而最佳化其pmtj，因而需要低开关电流。此外，研究团队也将介绍克服与制程有关缺陷导致写入错误的各种技术。
everspin technologies inc.在今年的electronica展示基于1gbit pmtj的mram。
此外，同样值得注意的是，美国加州大学洛杉矶分校电子工程系教授pedram khalili-amiri也是这款mram技术的共同作者。该主题并介绍电场控制mram与mram的电压控制等。
pedram khalili-amiri同时也是inston公司的共同创办人与技术长。inston公司获得了两笔小型企业创新研究（sbir）的赞助；其一是在2013年获得149，000美元，进行电场控制磁记忆元件的研究——其非挥发性记忆体位元的切换是由电压（而非自旋极化电流或磁场）进行，用于极低能量耗散的应用。
这些记忆体元件将用于磁电随机存取存记忆体（meram），据称将可提供明显优于stt-mram的优势、高达100倍的能量效率、高达10倍的密度，以及低于10nm的可扩展性。
其次是2014年的一笔749，000美元赞助经费，用于开发电场控制非挥发性磁记忆体晶片与阵列的原型。
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