英飞凌1200V CoolSiC™ MOSFET助力不同功率的工业电源实现最高效率
英飞凌采用全新 d2pak-7l 封装的 1200v coolsic™ mosfet，导通电阻从 30mΩ到 350mΩ，可助力不同功率的工业电源、充电器及伺服驱动器（不同的电流额定值）实现最高效率。
了解使用此 smd 封装从而提高应用性能的多种方法：被动冷却解决方案、增大功率密度、延长使用寿命等等。
coolsic™沟槽 mosfet 技术经过优化，将性能与可靠性相结合，并具有 3µs 的短路时间。由于采用 .xt 连接技术，其小巧封装外形的散热性能得到显著改善。相比标准封装的连接技术，.xt 连接技术可多消散 30%的额外损耗。该全新 coolsic™ .xt 产品系列表现出一流的热性能和循环能力：与标准连接技术相比，输出电流最多提高 14％，开关频率提高一倍，工作温度则降低 10-15°c。
特 性
开关损耗极低
短路时间 3µs
完全可控 dv/dt
典型栅极阈值电压，vgs(th) =4.5v
不易寄生导通，可选用 0v 关断栅极电压
坚固耐用的体二极管，实现硬开关
.xt 连接技术，实现一流的热性能
为 1200v 优化的 smd 封装，其爬电距离和电气间隙在 pcb 上>6.1mm
sense 引脚，可优化开关性能
应用示意图
优 势
效率提升
实现更高频率
增大功率密度
减少冷却设计工作量
降低系统复杂性并降低成本
smd 封装能直接集成于 pcb，采用自然对流冷却方式，无需额外的散热器
目标应用
电机驱动
基础设施 - 充电桩
发电 - 太阳能组串式逆变器和优化器
工业电源–工业 ups
竞争优势
无风扇驱动
实施被动冷却
最高效率，无需散热器
通过减少零件数量并减小外形尺寸实现紧凑型解决方案
smd 集成于 pcb，采用自然对流冷却方式，仅有热通孔
电机和逆变器一体化
采用具备大爬电距离和电气间隙的 smd 封装的 1200v 器件符合安全要求
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