mos管开关电路
mos管开关电路的定义
mos管开关电路是利用mos管栅极（g）控制mos管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。因mos管分为n沟道与p沟道，所以开关电路也主要分为两种。
一般情况下普遍用于高端驱动的mos，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的mos管导通时源极电压与漏极电压（vcc）相同，所以这时栅极电压要比vcc大4v或10v.如果在同一个系统里，要得到比vcc大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动mos管。
mos管是电压驱动，按理说只要栅极电压到到开启电压就能导通ds，栅极串多大电阻均能导通。但如果要求开关频率较高时，栅对地或vcc可以看做是一个电容，对于一个电容来说，串的电阻越大，栅极达到导通电压时间越长，mos处于半导通状态时间也越长，在半导通状态内阻较大，发热也会增大，极易损坏mos，所以高频时栅极栅极串的电阻不但要小，一般要加前置驱动电路的。
mos开关电路 mos和三极管相像，但是三极管属于电流驱动型，而mos属于电压驱动型，因此在控制的时候需要考虑mos的g端电压。一般的n沟道mos在3v往上就可以导通，但是为了考虑可靠性，往往是加上一个电阻，接到12v左右，这是我们常用的。如图我们产品中的一个图，是电机驱动，用的就是mos的开关特性。另外，数字电路中所用到的三极管和mos就是一个开关，因为数字电路只有0和1。图中的pwm是单片机io端口直接过来的，0v和5v可变。后面一个推挽电路，然后给mos。
12v的电源正端接负载后，负载再接管子的d极，管子的s极接电源负（地）。管子的g极根据管子的型号，一般要比s极电压高10v~20v左右才能使管子完全导通。（电压不需要高这么多吧）
另外，g极需要一只1~10k左右的电阻进行电荷泄放以实现快速关断。
mos管开关电路的特点 mos管种类和结构
mosfet管是fet的一种（另一种是jfet），可以被制造成增强型或耗尽型，p沟道或n沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的n沟道mos管和增强型的p沟道mos管，所以通常提到nmos，或者pmos指的就是这两种。
至于为什么不使用耗尽型的mos管，不建议刨根问底。
对于这两种增强型mos管，比较常用的是nmos.原因是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用nmos.下面的介绍中，也多以nmos为主。
mos管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免，后边再详细介绍。
在mos管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的mos管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。
mos管导通特性
导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。
nmos的特性，vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4v或10v就可以了。
pmos的特性，vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接vcc时的情况（高端驱动）。但是，虽然pmos可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用nmos.
mos开关管损失
不管是nmos还是pmos，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的mos管会减小导通损耗。现在的小功率mos管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。
mos在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。mos两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，mos管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，损失也越大。
导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失;降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。
mos管驱动
跟双极性晶体管相比，一般认为使mos管导通不需要电流，只要gs电压高于一定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需要速度。
在mos管的结构中可以看到，在gs，gd之间存在寄生电容，而mos管的驱动，实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计mos管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。
而在进行mosfet的选择时，因为mosfet有两大类型：n沟道和p沟道。在功率系统中，mosfet可被看成电气开关。当在n沟道mosfet的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻rds（on）。必须清楚mosfet的栅极是个高阻抗端，因此，总是要在栅极加上一个电压。这就是后面介绍电路图中栅极所接电阻至地。如果栅极为悬空，器件将不能按设计意图工作，并可能在不恰当的时刻导通或关闭，导致系统产生潜在的功率损耗。当源极和栅极间的电压为零时，开关关闭，而电流停止通过器件。虽然这时器件已经关闭，但仍然有微小电流存在，这称之为漏电流，即idss.
第一步：选用n沟道还是p沟道
为设计选择正确器件的第一步是决定采用n沟道还是p沟道mosfet.在典型的功率应用中，当一个mosfet接地，而负载连接到干线电压上时，该mosfet就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用n沟道mosfet，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当mosfet连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用p沟道mosfet，这也是出于对电压驱动的考虑。
第二步：确定额定电流
第二步是选择mosfet的额定电流。视电路结构而定，该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的mosfet能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。该参数以fdn304p管datasheet为参考，参数如图所示：
在连续导通模式下，mosfet处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌（或尖峰电流）流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。
选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，mosfet并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。mosfet在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的rds（on）所确定，并随温度而显着变化。器件的功率耗损可由iload2×rds（on）计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对mosfet施加的电压vgs越高，rds（on）就会越小;反之rds（on）就会越高。对系统设计人员来说，这就是取决于系统电压而需要折中权衡的地方。对便携式设计来说，采用较低的电压比较容易（较为普遍），而对于工业设计，可采用较高的电压。注意rds（on）电阻会随着电流轻微上升。关于rds（on）电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。
第三步：确定热要求
选择mosfet的下一步是计算系统的散热要求。设计人员必须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。在mosfet的资料表上还有一些需要注意的测量数据;比如封装器件的半导体结与环境之间的热阻，以及最大的结温。
器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积（结温=最大环境温度+［热阻×功率耗散］）。根据这个方程可解出系统的最大功率耗散，即按定义相等于i2×rds（on）。由于设计人员已确定将要通过器件的最大电流，因此可以计算出不同温度下的rds（on）。值得注意的是，在处理简单热模型时，设计人员还必须考虑半导体结/器件外壳及外壳/环境的热容量;即要求印刷电路板和封装不会立即升温。
通常，一个pmos管，会有寄生的二极管存在，该二极管的作用是防止源漏端反接，对于pmos而言，比起nmos的优势在于它的开启电压可以为0，而ds电压之间电压相差不大，而nmos的导通条件要求vgs要大于阈值，这将导致控制电压必然大于所需的电压，会出现不必要的麻烦。选用pmos作为控制开关，有下面两种应用：
第一种应用，由pmos来进行电压的选择，当v8v存在时，此时电压全部由v8v提供，将pmos关闭，vbat不提供电压给vsin，而当v8v为低时，vsin由8v供电。注意r120的接地，该电阻能将栅极电压稳定地拉低，确保pmos的正常开启，这也是前文所描述的栅极高阻抗所带来的状态隐患。d9和d10的作用在于防止电压的倒灌。d9可以省略。这里要注意到实际上该电路的ds接反，这样由附生二极管导通导致了开关管的功能不能达到，实际应用要注意。
来看这个电路，控制信号pgc控制v4.2是否给p_gprs供电。此电路中，源漏两端没有接反，r110与r113存在的意义在于r110控制栅极电流不至于过大，r113控制栅极的常态，将r113上拉为高，截至pmos，同时也可以看作是对控制信号的上拉，当mcu内部管脚并没有上拉时，即输出为开漏时，并不能驱动pmos关闭，此时，就需要外部电压给予的上拉，所以电阻r113起到了两个作用。r110可以更小，到100欧姆也可。
另外，我们再来mos管的开关特性
静态特性
mos管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于mos管是电压控制元件，所以主要由栅源电压ugs决定其工作状态。
工作特性如下：
※ ugs《开启电压ut:mos管工作在截止区，漏源电流ids基本为0，输出电压uds≈udd，mos管处于“断开”状态，其等效电路如下图所示。
※ ugs》开启电压ut:mos管工作在导通区，漏源电流ids=udd/（rd+rds）。其中，rds为mos管导通时的漏源电阻。输出电压uds=udd·rds/（rd+rds），如果rds《rd，则uds≈0v，mos管处于“接通”状态，其等效电路如上图（c）所示。
动态特性
mos管在导通与截止两种状态发生转换时同样存在过渡过程，但其动态特性主要取决于与电路有关的杂散电容充、放电所需的时间，而管子本身导通和截止时电荷积累和消散的时间是很小的。下图 （a）和（b）分别给出了一个nmos管组成的电路及其动态特性示意图。
nmos管动态特性示意图
当输入电压ui由高变低，mos管由导通状态转换为截止状态时，电源udd通过rd向杂散电容cl充电，充电时间常数τ1=rdcl.所以，输出电压uo要通过一定延时才由低电平变为高电平;当输入电压ui由低变高，mos管由截止状态转换为导通状态时，杂散电容cl上的电荷通过rds进行放电，其放电时间常数τ2≈rdscl.可见，输出电压uo也要经过一定延时才能转变成低电平。但因为rds比rd小得多，所以，由截止到导通的转换时间比由导通到截止的转换时间要短。
由于mos管导通时的漏源电阻rds比晶体三极管的饱和电阻rces要大得多，漏极外接电阻rd也比晶体管集电极电阻rc大，所以，mos管的充、放电时间较长，使mos管的开关速度比晶体三极管的开关速度低。不过，在cmos电路中，由于充电电路和放电电路都是低阻电路，因此，其充、放电过程都比较快，从而使cmos电路有较高的开关速度。
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一般情况下普遍用于高端驱动的mos，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的mos管导通时源极电压与漏极电压（vcc）相同，所以这时栅极电压要比vcc大4v或10v.如果在同一个系统里，要得到比vcc大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动mos管。
mos管是电压驱动，按理说只要栅极电压到到开启电压就能导通ds，栅极串多大电阻均能导通。但如果要求开关频率较高时，栅对地或vcc可以看做是一个电容，对于一个电容来说，串的电阻越大，栅极达到导通电压时间越长，mos处于半导通状态时间也越长，在半导通状态内阻较大，发热也会增大，极易损坏mos，所以高频时栅极栅极串的电阻不但要小，一般要加前置驱动电路的。
mos开关电路 mos和三极管相像，但是三极管属于电流驱动型，而mos属于电压驱动型，因此在控制的时候需要考虑mos的g端电压。一般的n沟道mos在3v往上就可以导通，但是为了考虑可靠性，往往是加上一个电阻，接到12v左右，这是我们常用的。如图我们产品中的一个图，是电机驱动，用的就是mos的开关特性。另外，数字电路中所用到的三极管和mos就是一个开关，因为数字电路只有0和1。图中的pwm是单片机io端口直接过来的，0v和5v可变。后面一个推挽电路，然后给mos。
12v的电源正端接负载后，负载再接管子的d极，管子的s极接电源负（地）。管子的g极根据管子的型号，一般要比s极电压高10v~20v左右才能使管子完全导通。（电压不需要高这么多吧）
另外，g极需要一只1~10k左右的电阻进行电荷泄放以实现快速关断。
mos管开关电路的特点 mos管种类和结构
mosfet管是fet的一种（另一种是jfet），可以被制造成增强型或耗尽型，p沟道或n沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的n沟道mos管和增强型的p沟道mos管，所以通常提到nmos，或者pmos指的就是这两种。
至于为什么不使用耗尽型的mos管，不建议刨根问底。
对于这两种增强型mos管，比较常用的是nmos.原因是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用nmos.下面的介绍中，也多以nmos为主。
mos管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免，后边再详细介绍。
在mos管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的mos管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。
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导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。
nmos的特性，vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4v或10v就可以了。
pmos的特性，vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接vcc时的情况（高端驱动）。但是，虽然pmos可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用nmos.
mos开关管损失
不管是nmos还是pmos，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的mos管会减小导通损耗。现在的小功率mos管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。
mos在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。mos两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，mos管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，损失也越大。
导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失;降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。
mos管驱动
跟双极性晶体管相比，一般认为使mos管导通不需要电流，只要gs电压高于一定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需要速度。
在mos管的结构中可以看到，在gs，gd之间存在寄生电容，而mos管的驱动，实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计mos管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。
而在进行mosfet的选择时，因为mosfet有两大类型：n沟道和p沟道。在功率系统中，mosfet可被看成电气开关。当在n沟道mosfet的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻rds（on）。必须清楚mosfet的栅极是个高阻抗端，因此，总是要在栅极加上一个电压。这就是后面介绍电路图中栅极所接电阻至地。如果栅极为悬空，器件将不能按设计意图工作，并可能在不恰当的时刻导通或关闭，导致系统产生潜在的功率损耗。当源极和栅极间的电压为零时，开关关闭，而电流停止通过器件。虽然这时器件已经关闭，但仍然有微小电流存在，这称之为漏电流，即idss.
第一步：选用n沟道还是p沟道
为设计选择正确器件的第一步是决定采用n沟道还是p沟道mosfet.在典型的功率应用中，当一个mosfet接地，而负载连接到干线电压上时，该mosfet就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用n沟道mosfet，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当mosfet连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用p沟道mosfet，这也是出于对电压驱动的考虑。
第二步：确定额定电流
第二步是选择mosfet的额定电流。视电路结构而定，该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的mosfet能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。该参数以fdn304p管datasheet为参考，参数如图所示：
在连续导通模式下，mosfet处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌（或尖峰电流）流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。
选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况下，mosfet并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。mosfet在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的rds（on）所确定，并随温度而显着变化。器件的功率耗损可由iload2×rds（on）计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对mosfet施加的电压vgs越高，rds（on）就会越小;反之rds（on）就会越高。对系统设计人员来说，这就是取决于系统电压而需要折中权衡的地方。对便携式设计来说，采用较低的电压比较容易（较为普遍），而对于工业设计，可采用较高的电压。注意rds（on）电阻会随着电流轻微上升。关于rds（on）电阻的各种电气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。
第三步：确定热要求
选择mosfet的下一步是计算系统的散热要求。设计人员必须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。在mosfet的资料表上还有一些需要注意的测量数据;比如封装器件的半导体结与环境之间的热阻，以及最大的结温。
器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积（结温=最大环境温度+［热阻×功率耗散］）。根据这个方程可解出系统的最大功率耗散，即按定义相等于i2×rds（on）。由于设计人员已确定将要通过器件的最大电流，因此可以计算出不同温度下的rds（on）。值得注意的是，在处理简单热模型时，设计人员还必须考虑半导体结/器件外壳及外壳/环境的热容量;即要求印刷电路板和封装不会立即升温。
通常，一个pmos管，会有寄生的二极管存在，该二极管的作用是防止源漏端反接，对于pmos而言，比起nmos的优势在于它的开启电压可以为0，而ds电压之间电压相差不大，而nmos的导通条件要求vgs要大于阈值，这将导致控制电压必然大于所需的电压，会出现不必要的麻烦。选用pmos作为控制开关，有下面两种应用：
第一种应用，由pmos来进行电压的选择，当v8v存在时，此时电压全部由v8v提供，将pmos关闭，vbat不提供电压给vsin，而当v8v为低时，vsin由8v供电。注意r120的接地，该电阻能将栅极电压稳定地拉低，确保pmos的正常开启，这也是前文所描述的栅极高阻抗所带来的状态隐患。d9和d10的作用在于防止电压的倒灌。d9可以省略。这里要注意到实际上该电路的ds接反，这样由附生二极管导通导致了开关管的功能不能达到，实际应用要注意。
来看这个电路，控制信号pgc控制v4.2是否给p_gprs供电。此电路中，源漏两端没有接反，r110与r113存在的意义在于r110控制栅极电流不至于过大，r113控制栅极的常态，将r113上拉为高，截至pmos，同时也可以看作是对控制信号的上拉，当mcu内部管脚并没有上拉时，即输出为开漏时，并不能驱动pmos关闭，此时，就需要外部电压给予的上拉，所以电阻r113起到了两个作用。r110可以更小，到100欧姆也可。
另外，我们再来mos管的开关特性
静态特性
mos管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于mos管是电压控制元件，所以主要由栅源电压ugs决定其工作状态。
工作特性如下：
※ ugs《开启电压ut:mos管工作在截止区，漏源电流ids基本为0，输出电压uds≈udd，mos管处于“断开”状态，其等效电路如下图所示。
※ ugs》开启电压ut:mos管工作在导通区，漏源电流ids=udd/（rd+rds）。其中，rds为mos管导通时的漏源电阻。输出电压uds=udd·rds/（rd+rds），如果rds《rd，则uds≈0v，mos管处于“接通”状态，其等效电路如上图（c）所示。
动态特性
mos管在导通与截止两种状态发生转换时同样存在过渡过程，但其动态特性主要取决于与电路有关的杂散电容充、放电所需的时间，而管子本身导通和截止时电荷积累和消散的时间是很小的。下图 （a）和（b）分别给出了一个nmos管组成的电路及其动态特性示意图。
nmos管动态特性示意图
当输入电压ui由高变低，mos管由导通状态转换为截止状态时，电源udd通过rd向杂散电容cl充电，充电时间常数τ1=rdcl.所以，输出电压uo要通过一定延时才由低电平变为高电平;当输入电压ui由低变高，mos管由截止状态转换为导通状态时，杂散电容cl上的电荷通过rds进行放电，其放电时间常数τ2≈rdscl.可见，输出电压uo也要经过一定延时才能转变成低电平。但因为rds比rd小得多，所以，由截止到导通的转换时间比由导通到截止的转换时间要短。
由于mos管导通时的漏源电阻rds比晶体三极管的饱和电阻rces要大得多，漏极外接电阻rd也比晶体管集电极电阻rc大，所以，mos管的充、放电时间较长，使mos管的开关速度比晶体三极管的开关速度低。不过，在cmos电路中，由于充电电路和放电电路都是低阻电路，因此，其充、放电过程都比较快，从而使cmos电路有较高的开关速度。
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