DS1345 1024k非易失(NV) SRAM
ds1345 1024k非易失(nv) sram为1,048,576位、全静态非易失sram，按照8位、131,072字排列。每个nv sram均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视vcc是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。此外，ds1345器件具有监视vcc状态和内部锂电池状态的专用电路。powercap模块封装的ds1345器件可以直接表面贴安装、通常与ds9034pc powercap配合构成一个完整的非易失sram模块。可用来替代128k x 8 sram、eeprom或闪存器件。
关键特性
在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
掉电期间数据被自动保护
当vcc电压跌落时，电源监视器能够复位处理器、并在vcc上升期间持续保持处理器的复位状态
电池监视器核查剩余电量
70ns的读写存取时间
没有写次数限制
典型待机电流50µa
可升级128k x 8 sram、eeprom或闪存
第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
±10% vcc工作范围(ds1345y)或±5% vcc工作范围(ds1345ab)
可选的-40°c至+85°c工业级温度范围，指定为ind
powercap模块(pcm)封装
表面贴装模块
可更换的即时安装powercap提供备份锂电池
所有nv sram器件提供标准引脚 分离的powercap用常规的螺丝起子便可方便拆卸
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