新一代STT-MRAM升级到12nm，适用于各种嵌入式领域
globalfoundries、everspin联合宣布，双方已经达成新的合作，将利用gf 12lp（12nm finfet）工艺来制造新一代stt-mram（自旋转移矩磁阻内存），包括独立的mram芯片和嵌入式的emram。
mram是一种非易失性存储，其前景被广泛看好，intel、ibm、tdk、三星、希捷等行业巨头多年来一直都在研究，读写速度可以媲美sram、dram等传统内存，但同时又是非易失性的，也就是可以断电保存数据，综合了传统内存、闪存的优点。
stt-mram则进一步通过自旋电流实现数据写入，具备结构简单、成本低、损耗小、速度快等一系列优点，只是容量密度提升困难，所以想取代内存、闪存暂时不现实，但非常适合用在各种嵌入式领域。
gf、everspin的良好合作由来已久，2012年的第一代stt-mram就是用gf 40nm制造的，单颗容量32mb，2019年的第二代则升级为gf 28nm，单颗容量翻了两番达到128mb。就在日前，gf 22fdx工艺成功试产了emram，-40℃到125℃环境下可工作10万个周期，数据保持可长达10年。
进一步升级到12nm，自然有利于进一步提升mram的容量密度，并继续降低成本，尤其是随着mram芯片容量的提高，迫切需要更先进的工艺。
gf 12nm工艺包括12lp、12lp+两个版本，虽然算不上多先进但也有广阔的用武之地，尤其适合控制器、微控制器等，比如群联电子、sage的不少企业级ssd主控都计划加入emram，从而提升性能、降低延迟、提高qos。虽然大家可能觉得没见过mram，不过everspin宣称已经向100多家客户出货了1.25亿颗mram芯片，还援引报告称到2029年独立mram芯片销售额可达40亿美元。
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