N沟道耗尽型MOSFET的结构、特性曲线
n沟道耗尽型mosfet
1) n沟道耗尽型mosfet的结构
n 沟道耗尽型mosfet 的结构示意图如图4-4a所示。耗尽型mosfet 的符号如图4-4b 所示。n 沟道耗尽型mosfet 的结构与增强型mosfet 结构相似，不同之处在于n 沟道耗尽型mosfet 在制造过程中在栅源之间的sio2中注入一些离子(图中4-9中用“＋”表示)，使漏源之间的导电沟道在ugs=0 时导电沟道就已经存在了，这一沟道称为初始沟道。因此称为n沟道耗尽型mosfet。由于ugs=0 时就存在初始导电沟道，所以只要加上uds就能形成漏极电流id 。
2) n沟道耗尽型mosfet的特性曲线
n 沟道耗尽型mosfet的漏极电流可近似表示为
式中。idss是ugs=0时的漏极电流。
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