功耗相关设计可以节省双MOSFET的空间
您的功耗相关设计可以节省双mosfet的空间，因为您经常成对使用这些功能。飞兆半导体（图片）的p沟道fdz2552p和类似的n沟道fdz2551n mosfet用于低阈值电池保护应用（v gs = 2.5v）和低导通电阻。这些双器件采用bga封装，印刷电路板面积为0.10 cm，约为可比so-8器件面积的三分之一。
n通道双器件具有r ds（on） 0.018w，v gs = 4.5v，0.030w，v gs = 2.5v; p沟道器件的可比数字为0.045和0.075w。 bga封装，安装在印刷电路板上时仅高0.70 mm，具有出色的散热特性和尺寸。例如，n沟道器件支持高达9a的连续漏极电流。这些双mosfet还提供supersot-8和tssop-8封装;价格从85美分（10,000）开始。
如果您需要低压双器件，您可以考虑使用siliconix/vishay intertechnology的p和n通道si3552dv，双p沟道si3909dv和si3905dv，以及双n沟道si3948dv。这些器件的工作电压低至1.8v，采用tssop-6封装，但由于导通电阻比其前代产品低61％，因此可替代更大的sot-23 mosfet。根据您选择的器件，您可以获得关键参数的组合，包括r ds（on） = 0.20w，v gs = - 4.5v（-20v击穿），r ds（on） = 0.265w，v gs = - 1.8v（-8v击穿）;和r ds（on） = 0.105w且r ds（on） = 0.200w ，均为v gs = 10v。您可以以26美分（100,000）的频率访问tsop-6双mosfet。
最后，国际整流器公司的irf7901d1将高端控制fet和低侧同步fet与并联肖特基二极管放在一起。 so-8封装，用于同步降压dc/dc转换器架构。该ic最大限度地减少了外部印刷电路板走线并减少了杂散电感，从而对效率和性能产生不利影响。使用这款65美分（100,000）ic，您可以在5,3.3和1.8v输出时提供高达5a的峰值输出，效率高达96％。该供应商还提供了一个设计套件，可让您评估应用中的离散对双fet方法。
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