IGBT基本工作原理
igbt的工作原理
igbt由栅极（g）、发射极（e）和集电极（c）三个极控制。如图1，igbt的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给pnp晶体管提供基极电流，使igbt导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使igbt关断。由图2可知，若在igbt的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则mosfet导通，这样pnp晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若igbt的栅极和发射极之间电压为0v，则mosfet截止，切断pnp晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。
图1 igbt 结构图
图2 igbt电气符号（左）与等效的电路图（右）
如果igbt栅极与发射极之间的电压，即驱动电压过低则igbt不能稳定的工作，如果过高甚至超过栅极—发射极之间的耐压，则igbt可能会永久损坏。同样，如果igbt集电极与发射极之间的电压超过允许值，则流过igbt的电流会超限，导致igbt的结温超过允许值，此时igbt也有可能会永久损坏。
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