温度反转效应它到底为什么会发生呢？
在做sta signoff时，对于setup来说选择slow corner，也就是慢工艺（ss）、低压（low voltage）、高温（high temperature）；
对于hold来说选择fast corner，也就是快工艺（ff）、高压（high voltage）、低温（low temperature）。
可是到了小尺寸工艺（65nm以下）发生一些变化，如下图。
低温相对于高温延迟会变大，也就是出现了所谓的温度反转效应（temperature inversion）。
corner介绍
1.wc （worst-case）： ss,vdd-%10,125c，一般delay最大；
2.wcl （worst-case low-temperature）：ss,vdd-%10,m40c，温度反转效应下delay最大；
3.lt （low-temperature，也叫best case）：ff,vdd+10%，m40c，一般delay最小；
4.ml （max-leakage）：ff,vdd+10%,125c，温度反转效应下delay最小。
温度反转效应后果
导致sta signoff corner至少增加了一倍，也就是说run time最少增加一倍（对于大规模芯片真是一件麻烦事），需要fix的violation也有所增加。
温度反转效应带来了这么多工作量，它到底为什么会发生呢？
温度反转效应原理
随着温度的升高，晶格的热振动会增加，增加了电子的散射（可以理解为电子的碰撞增加，不利于电子流动），所以metal的电阻会增加。在半导体中也有类似的效果，载流子（电子和空穴）的迁移率随着温度的升高而降低。
但是在半导体中，随着mos晶体管的电源电压降低，发生了有趣的现象：在较低电压下，mos 器件的延迟随温度升高而降低，而不是增加。
毕竟普遍的看法是，随着温度的升高，迁移率会降低，因此人们会预期电流会降低，随后延迟也会增加。这种效应也称为低电压反向温度依赖性。
首先让我们看看，在一个简化的模型中，mos 晶体管的延迟取决于什么。
现在让我们看看漏极电流取决于什么。
可以看到，id 取决于迁移率 μ 和阈值电压 vth。让我们检查迁移率和阈值电压对温度的依赖性。
迁移率和阈值电压均随温度升高而降低。但是迁移率的降低意味着更少的漏极电流和更慢的器件，而阈值电压的降低意味着增加漏极电流和更快的器件。
最终的漏极电流取决于在给定的电压和温度对下哪个趋势占主导地位。在高电压下，迁移率决定了漏极电流，而在低电压下，阈值电压主导着漏极电流。
这就是为什么：在较高电压下，器件延迟随温度增加而增加；在较低电压下，器件延迟随温度增加降低。
碳化硅宽带隙半导体有什么好处
日本计划对电动汽车和芯片生产实行十年税收减免
新思科技收购Ansys，拓展RISC-V验证及验证解决方案
郭台铭非常看好人工智能 欲投21亿元转型
第二十二届高交会圆满结束，吸引了许多客户前来参观
温度反转效应它到底为什么会发生呢？
智能充电桩低功耗蓝牙通讯应用方案
电子电路调试前的直观检查_电子电路调试方法
3G技术和标准的组成
氮封阀的工作原理_氮封阀的特点
Netflix印度在移动和基本计划中测试高清视频质量
联发科因5G受益，营收将超1000亿美元
单车搭载传感器数量增长迅速 欧菲光深度布局智能汽车享红利
为什么要对擦拭材料中液体颗粒进行管控
米物推新款Type-C扩展坞转换器，7合1设计，集成PD供电
全球半导体销售额增长4.7%！
芯驰科技荣获年度智能汽车芯片高成长供应商及标杆产品奖
python读取数据库数据 python查询数据库 python数据库连接
数码相机没人买,佳能财报恐继续下探
TE推出全新的 Cat5e 四线组高速数据电缆，更耐受更易安装
对于hold来说选择fast corner，也就是快工艺（ff）、高压（high voltage）、低温（low temperature）。
可是到了小尺寸工艺（65nm以下）发生一些变化，如下图。
低温相对于高温延迟会变大，也就是出现了所谓的温度反转效应（temperature inversion）。
corner介绍
1.wc （worst-case）： ss,vdd-%10,125c，一般delay最大；
2.wcl （worst-case low-temperature）：ss,vdd-%10,m40c，温度反转效应下delay最大；
3.lt （low-temperature，也叫best case）：ff,vdd+10%，m40c，一般delay最小；
4.ml （max-leakage）：ff,vdd+10%,125c，温度反转效应下delay最小。
温度反转效应后果
导致sta signoff corner至少增加了一倍，也就是说run time最少增加一倍（对于大规模芯片真是一件麻烦事），需要fix的violation也有所增加。
温度反转效应带来了这么多工作量，它到底为什么会发生呢？
温度反转效应原理
随着温度的升高，晶格的热振动会增加，增加了电子的散射（可以理解为电子的碰撞增加，不利于电子流动），所以metal的电阻会增加。在半导体中也有类似的效果，载流子（电子和空穴）的迁移率随着温度的升高而降低。
但是在半导体中，随着mos晶体管的电源电压降低，发生了有趣的现象：在较低电压下，mos 器件的延迟随温度升高而降低，而不是增加。
毕竟普遍的看法是，随着温度的升高，迁移率会降低，因此人们会预期电流会降低，随后延迟也会增加。这种效应也称为低电压反向温度依赖性。
首先让我们看看，在一个简化的模型中，mos 晶体管的延迟取决于什么。
现在让我们看看漏极电流取决于什么。
可以看到，id 取决于迁移率 μ 和阈值电压 vth。让我们检查迁移率和阈值电压对温度的依赖性。
迁移率和阈值电压均随温度升高而降低。但是迁移率的降低意味着更少的漏极电流和更慢的器件，而阈值电压的降低意味着增加漏极电流和更快的器件。
最终的漏极电流取决于在给定的电压和温度对下哪个趋势占主导地位。在高电压下，迁移率决定了漏极电流，而在低电压下，阈值电压主导着漏极电流。
这就是为什么：在较高电压下，器件延迟随温度增加而增加；在较低电压下，器件延迟随温度增加降低。
碳化硅宽带隙半导体有什么好处
日本计划对电动汽车和芯片生产实行十年税收减免
新思科技收购Ansys，拓展RISC-V验证及验证解决方案
郭台铭非常看好人工智能 欲投21亿元转型
第二十二届高交会圆满结束，吸引了许多客户前来参观
温度反转效应它到底为什么会发生呢？
智能充电桩低功耗蓝牙通讯应用方案
电子电路调试前的直观检查_电子电路调试方法
3G技术和标准的组成
氮封阀的工作原理_氮封阀的特点
Netflix印度在移动和基本计划中测试高清视频质量
联发科因5G受益，营收将超1000亿美元
单车搭载传感器数量增长迅速 欧菲光深度布局智能汽车享红利
为什么要对擦拭材料中液体颗粒进行管控
米物推新款Type-C扩展坞转换器，7合1设计，集成PD供电
全球半导体销售额增长4.7%！
芯驰科技荣获年度智能汽车芯片高成长供应商及标杆产品奖
python读取数据库数据 python查询数据库 python数据库连接
数码相机没人买,佳能财报恐继续下探
TE推出全新的 Cat5e 四线组高速数据电缆，更耐受更易安装