移动无线基础设施和WiMAX氮化镓(GaN)工艺技术

abi研究公司一位研究人员表示,对于那些通过氮化镓(gan)工艺技术来开发并生产设备的厂商来说,无线基础设施领域所需的rf功率半导体可能并不是他们最好的机会。
除了一些军事应用和微波通信,gan主要用于移动无线基础设施和wimax。但是abi research公司董事lance wilson却表示,这个对价格极度敏感的领域,可能并不适合gan。
wilson表示:“与传统放大器电路里的si ldmos相比,gan虽然是新技术,设备成本却是其最大的致命伤。”虽然gan的价格可能会慢慢下降,并最终克服这一问题,但是却永远无法与si ldmos的价格相抗衡,因为它从本质上就是比si ldmos要贵。
wilson指出:“尽管gan可能会实现超级性能,但这也不能为之增添多少砝码。在移动无线基础设施领域,gan和si ldmos在价格和性能上始终都是势均力敌。gan可能在今后几年会在移动基础设施所需的rf功率放大器的市场上攻下一些地盘,但绝不可能只手遮天。”而且,在gan市场上凑热闹的人太多了,将来至少会有一半的人知难而退,或者忍痛割爱。
但是,wilson也强调说,gan前景依然让人看好。在4 ghz以上的频率,si ldmos的性能无法触及,因此gan将几乎统治所有高功率市场。
他说,eudyna devices和东芝就非常聪明地将其gan产品的目标对准4 ghz以上的微波市场,这将给其带来相当大的收益。

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