带有ECC的256Kx16高速异步SRAM
issi is61wv25616edall是高速，低功耗4m位sram，组织为256k字乘16位。它使用issi的高性能cmos技术制造，并实现了ecc功能以提高可靠性。
当cs＃为高电平（取消选择）时，器件将进入待机模式，在该模式下，可以通过cmos输入电平降低功耗。
使用芯片使能和输出使能输入可轻松扩展存储器。激活的lowwriteenable（we＃）控制存储器的写入和读取。
数据字节允许访问高字节（ub＃）和低字节（lb＃）。
is61wv25616edall封装在jedec标准的48引脚微型bga（6mmx8mm）和44引脚tsop（typeii）中。
主要特点
–高速访问时间：20ns
–单电源
–1.65v-2.2vvdd
–低待机电流：1.5ma（典型值）
–完全静态操作：无需时钟或刷新
–数据控制
–三个状态输出
–工业和汽车温度支持
–可用无铅
–错误检测和纠正
功能框图
功能说明
sram是随机存取存储器之一。每个字节或字都有一个地址，可以随机访问。异步sram支持多种模式。每个功能在下面的“真值表”中进行了描述。
待机模式
取消选择时，设备进入待机模式（cs＃高）。输入和输出引脚（i/o0-15）处于高阻抗状态。该模式下的电流消耗为isb1或isb2。
写模式
片选（cs＃）低和写使能（we＃）低的写操作问题。输入和输出引脚（i/o0-15）处于数据输入模式。即使oe＃为低电平，在此期间输出缓冲区也将关闭。ub＃和lb＃启用字节写入功能。通过使lb＃为低，来自i/o引脚（i/o0至i/o7）的数据被写入地址引脚上指定的位置。在ub＃为低电平的情况下，来自i/o引脚（i/o8至i/o15）的数据被写入该位置。
读取模式
片选（cs＃）低和写使能（we＃）高的读操作问题。当oe＃为低电平时，输出缓冲器打开以进行数据输出。不允许在读取模式下对i/o引脚进行任何输入。ub＃和lb＃启用字节读取功能。通过启用lb＃低，来自内存的数据将出现在i/o0-7上。当ub＃为低时，来自存储器的数据出现在i/o8-15上。
在读取模式下，可以通过将oe＃拉高来关闭输出缓冲器。在此模式下，内部设备作为read操作，但i/o处于高阻抗状态。由于器件处于读取模式，因此使用有功电流。lw
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读取模式
片选（cs＃）低和写使能（we＃）高的读操作问题。当oe＃为低电平时，输出缓冲器打开以进行数据输出。不允许在读取模式下对i/o引脚进行任何输入。ub＃和lb＃启用字节读取功能。通过启用lb＃低，来自内存的数据将出现在i/o0-7上。当ub＃为低时，来自存储器的数据出现在i/o8-15上。
在读取模式下，可以通过将oe＃拉高来关闭输出缓冲器。在此模式下，内部设备作为read操作，但i/o处于高阻抗状态。由于器件处于读取模式，因此使用有功电流。lw
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