反激式变换器的基本组成
在当今众多的变换器拓扑结构中，反激式拓扑是最常用的一种。尽管很简单，但这种变换器设计却赋予很多应用巨大的优势。近年来，很多更新、更复杂的拓扑结构不断出现，但反激式变换器设计仍然很流行。
这种开关模式电源变换器在中低功率范围（约 2w 至 100w）内提供了极具竞争力的尺寸、成本与效率比。反激式变换器的操作基于耦合电感器，它实现了电源转换，同时还可以隔离变换器的输入和输出。耦合电感器还支持多个输出，这使反激式变换器成为多种应用的理想选择。
反激式变换器操作
反激式变换器的基本组成元件与大多数其他开关变换器拓扑相同，唯一的不同是它采用了耦合电感器，它将变换器的输入与输出隔离（见图 1）。
图1: 反激式变换器原理图
反激式变换器有两个信号半周期： ton和 t 和off,它们以mosfet的开关状态命名并受其控制。
在ton期间，mosfet处于导通状态，电流从输入端流经原边电感器并对耦合电感器进行线性充电。在toff期间, mosfet处于关断状态，耦合电感器开始通过二极管去磁。来自电感器的电流为输出电容器充电并为负载供电。
反激式变换器设计及组件选型
设计一个反激式变换器需要做出许多重要的设计决策与权衡。下面我们将介绍一个简单的反激式变换器设计过程中的每个步骤。图2显示了我们将遵循的设计流程。
图2: 反激式变换器设计流程
反激式变换器设计过程与计算
步骤1: 设计输入
设计输入或由最终应用确定，或由设计人员来选择。这些参数包括但不限于：输入和输出电压、功率、纹波系数和操作模式。表1罗列了本文所讨论电路的设计输入。
设计输入 值
输入电压 (vin) 32v 至于 78v
输出电压 (vout) 12v
输出电流 (iout) 1a
操作模式 dcm
纹波系数(kfr) 1
最大占空比(dmax) 0.5
开关频率 (fsw) 160khz
预估效率(η) 80%
表1: 设计输入总结
非连续导通模式 (dcm)具有较高的稳定性和效率，我们为此应用选择了该模式。这意味着该解决方案的纹波系数为1。
其最大占空比固定为50%，以最大限度地减少应力并均衡利用mosfet和二极管。开关频率则选择为160khz。
为使计算更加实际，变换器的估算效率也被定义。尽管该估值相对较低（约80%），但却是低功率反激式变换器的常见效率值。
根据所有这些输入，设计人员必须选择满足所有初始要求的控制器ic。本例采用了mps的mp6004 是一款仅支持dcm模式的反激式控制器。它还提供原边调节功能，可减少外部组件的数量。
步骤2: 最大原边电感计算及选择
第一个设计计算用于找到最大原边电感值。有许多不同的设计方法可以用于计算该值，但本例中的变换器始终运行在dcm模式，因此我们采用如下的公式 (1)来计算原边电感值(lp):
最坏情况发生在变换器以最小输入电压（vin）和最大占空比（d）且全功率工作时。将设计输入代入公式（1） ，可以得到最大电感器限值为53μh。
接下来计算所需的匝数比 (ns1)。我们仍使用最小vin和最大d以得到最坏情况下的值，同时增加二极管的正向压降以使计算更加精确。用等式(2)来估算ns1：
步骤3: mosfet计算
下一步是为应用选择合适的mosfet。为此，我们需要计算开关必须承受的最大电流和电压。首先利用公式 (3) 来计算最大电压：
注意， vds_ max上增加了20%的安全裕度，以确保变换器的安全运行。然后我们利用公式 (4) 来估算最大电流：
查看mp6004 控制器规格，可以知道mosfet的vds_ max 为180v，最大电流为3a。这意味着该控制器ic可以在此应用中安全使用。
步骤4: 整流二极管计算
该步骤用于评估整流二极管。与mosfet一样，其目的是确保整流二极管能够处理它可能遇到的最大电压和电流。 首先利用公式（5）来计算二极管能承受的最大电压：
通过增加40%的安全裕度，得到最大反向电压为60.5v。
步骤5: 输出电容器计算
我们用一个估值来确定输出电容的值，即忽略电路的二阶方面，如寄生分量和输出串扰。利用公式 (6) 来估算电容的电压值：
请注意，如果该公式用于ton,则可以大大简化。利用公式 (7) 计算输出电压纹波：
接下来，选择一个电容值以得出最佳纹波电压。本例使用了一个250μf的电容器，其输出电压纹波为12.5mv。
步骤6：反激变压器的设计和计算
下一步是变压器的设计。变压器选型需要做出许多设计决策，例如磁芯材料和磁芯形状的选择。每种选择都有其特定的优势，在本例中，我们选用了常见的双e形铁氧体磁芯（见图3）。
图 3：变压器双e型磁芯和变压器主要构成
用于计算变压器面积的方法称为ap法。它将变压器的总面积定义为绕组窗口面积与磁芯横截面面积的乘积，所有变压器的磁通量都汇集于这些位置（见图 4）。
图4: ap法涉及的区域
变压器面积可以用公式 (8) 来估算：
现在，我们已定义了方法和设计参数，然后就可以通过一组快速计算来设计变压器。
首先，用公式 (9) 计算最小变压器面积：
bmax通常是已确定的输入参数；对于铁氧体磁芯，一般在0.2t到0.3t之间。使用ap 法，最后可以选择一个ee13磁芯和一个最小长度为0.28mm的变压器骨架。
然后计算适合这个变压器的最大原边匝数和副边匝数，并保证符合等式 (2)中计算出的匝数比。用公式 (10) 计算原边匝数：
用公式 (11) 估算副边匝数：
辅助绕组匝数与副边输出匝数的计算方法相同，最后得到 naux=5 = 5 = 5 = 5 = 5 = = 5 = = 5 = 5
步骤7: 缓冲器设计和计算
设计流程的最后一步是找到合适的缓冲器值。缓冲电路有助于减轻开关节点的电压尖峰，这些尖峰是由于变压器漏电感和电路中杂散电容之间的振铃而导致。如果没有缓冲器，电压尖峰会增大噪声，甚至会导致mosfet击穿。图5显示了带缓冲电路的反激式变换器。
图 5：带输入缓冲电路的反激式变换器
缓冲器的设计过程包括三个阶段。首先，预估漏电感约为原边电感的2%；其次，设置最大缓冲器电容电压纹波为 10%；最后就可以估算出缓冲器组件的值。
用公式 (12) 计算最大电容器电压：
用公式 (13) 估算缓冲器电阻中的功率：
以功率作为一个限制参数，并使用公式(14)来计算缓冲器的电阻值：
用公式 (15) 估算缓冲器的电容器值：
最后，利用公式(16)来计算缓冲器二极管两端的最大电压：
最后设计
在计算出变换器的所有组件值后，mp6004 稳压器就可以与其外部组件配对，构建出一个全功能反激式dc/dc变换器。
注意，该电路包括了前面已提到的元件，如原边电感器(lp),辅助电感器 (lp2),输出电容器（由c2a, c2b, 和 c2c并联组成，以提高频率响应）,整流二极管(d1), 和缓冲电路。
图6显示了电路的最终设计以及新的组件，例如mp6004原边控制器。该控制器包含mosfet开关及其所有相关电路，还包括一些用于噪声过滤的附加组件。
图6: 最终设计电路原理图
结论
本文采用mps的mp6004 演示了如何通过八个简单的步骤设计一个反激式变换器。尽管在设计准备好实施之前还有很多因素需要考虑，例如通过emc 测试、控制回路设计和元件选型，但建立一个清晰的计算和选型方法非常重要。
许多设计决策都将对系统的整体行为产生重大影响，因此建立输入设计参数是关键的第一步。这些参数设置了变换器设计的约束条件，其余步骤都将根据这些规格来选择值。
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图1: 反激式变换器原理图
反激式变换器有两个信号半周期： ton和 t 和off,它们以mosfet的开关状态命名并受其控制。
在ton期间，mosfet处于导通状态，电流从输入端流经原边电感器并对耦合电感器进行线性充电。在toff期间, mosfet处于关断状态，耦合电感器开始通过二极管去磁。来自电感器的电流为输出电容器充电并为负载供电。
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设计一个反激式变换器需要做出许多重要的设计决策与权衡。下面我们将介绍一个简单的反激式变换器设计过程中的每个步骤。图2显示了我们将遵循的设计流程。
图2: 反激式变换器设计流程
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步骤1: 设计输入
设计输入或由最终应用确定，或由设计人员来选择。这些参数包括但不限于：输入和输出电压、功率、纹波系数和操作模式。表1罗列了本文所讨论电路的设计输入。
设计输入 值
输入电压 (vin) 32v 至于 78v
输出电压 (vout) 12v
输出电流 (iout) 1a
操作模式 dcm
纹波系数(kfr) 1
最大占空比(dmax) 0.5
开关频率 (fsw) 160khz
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表1: 设计输入总结
非连续导通模式 (dcm)具有较高的稳定性和效率，我们为此应用选择了该模式。这意味着该解决方案的纹波系数为1。
其最大占空比固定为50%，以最大限度地减少应力并均衡利用mosfet和二极管。开关频率则选择为160khz。
为使计算更加实际，变换器的估算效率也被定义。尽管该估值相对较低（约80%），但却是低功率反激式变换器的常见效率值。
根据所有这些输入，设计人员必须选择满足所有初始要求的控制器ic。本例采用了mps的mp6004 是一款仅支持dcm模式的反激式控制器。它还提供原边调节功能，可减少外部组件的数量。
步骤2: 最大原边电感计算及选择
第一个设计计算用于找到最大原边电感值。有许多不同的设计方法可以用于计算该值，但本例中的变换器始终运行在dcm模式，因此我们采用如下的公式 (1)来计算原边电感值(lp):
最坏情况发生在变换器以最小输入电压（vin）和最大占空比（d）且全功率工作时。将设计输入代入公式（1） ，可以得到最大电感器限值为53μh。
接下来计算所需的匝数比 (ns1)。我们仍使用最小vin和最大d以得到最坏情况下的值，同时增加二极管的正向压降以使计算更加精确。用等式(2)来估算ns1：
步骤3: mosfet计算
下一步是为应用选择合适的mosfet。为此，我们需要计算开关必须承受的最大电流和电压。首先利用公式 (3) 来计算最大电压：
注意， vds_ max上增加了20%的安全裕度，以确保变换器的安全运行。然后我们利用公式 (4) 来估算最大电流：
查看mp6004 控制器规格，可以知道mosfet的vds_ max 为180v，最大电流为3a。这意味着该控制器ic可以在此应用中安全使用。
步骤4: 整流二极管计算
该步骤用于评估整流二极管。与mosfet一样，其目的是确保整流二极管能够处理它可能遇到的最大电压和电流。 首先利用公式（5）来计算二极管能承受的最大电压：
通过增加40%的安全裕度，得到最大反向电压为60.5v。
步骤5: 输出电容器计算
我们用一个估值来确定输出电容的值，即忽略电路的二阶方面，如寄生分量和输出串扰。利用公式 (6) 来估算电容的电压值：
请注意，如果该公式用于ton,则可以大大简化。利用公式 (7) 计算输出电压纹波：
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图 5：带输入缓冲电路的反激式变换器
缓冲器的设计过程包括三个阶段。首先，预估漏电感约为原边电感的2%；其次，设置最大缓冲器电容电压纹波为 10%；最后就可以估算出缓冲器组件的值。
用公式 (12) 计算最大电容器电压：
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用公式 (15) 估算缓冲器的电容器值：
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