非易失性存储器在DDR3速度下具有非挥发性和高耐久性
emd3d256m08/16b 256mb ddr3自旋转移扭矩mram（stt-mram）是非易失性存储器，在ddr3速度下具有非挥发性和高耐久性。该设备能够以高达1333mt /秒/引脚的速率进行ddr3操作。它的设计符合所有ddr3 dram功能，包括设备端接（odt）和内部zq校准，但具有数据持久性和极高的写周期耐久性的优点。借助spin-torque mram技术，不需要刷新单元，从而大大简化了系统设计并减少了开销。
所有控制和地址输入都与一对外部提供的差分时钟同步，输入锁存在时钟交叉点。 i/o与一对双向选通脉冲（dqs，dqs）同步。该器件使用ras / cas多路复用方案，并在1.5v下工作。
everspin ddr3自旋扭矩mram与jedec标准jesd79-3f中定义的dram操作的ddr3标准完全兼容，但本数据表中已指出和定义的例外和改进之处。
•自旋扭矩mram是非易失性存储器。无论何时出于任何原因断开设备电源，已关闭/预充电存储区中的所有数据都将保留在内存中。
•在某些情况下，命令时间会有所不同。
•ddr3标准适用于高于256mb的密度，从而导致寻址和页面大小差异。
•突发类型/突发顺序仅支持ca 《2：0 = 000或100的连续突发类型。
•当mram与本标准之间的功能，时序，参数或条件相同时。
关于everspin
everspin technologies，inc.总部位于亚利桑那州钱德勒，是设计和制造和商业销售mram和自旋传递扭矩mram（stt-mram）的翘楚，其市场和应用领域涉及数据持久性和可靠性。完整性和低延迟以及安全性至关重要。everspin mram在数据中心，云存储，能源，工业，汽车和运输市场中部署了超过1.2亿个mram和stt-mram产品，为全球mram用户奠定了最强大，增长最快的基础。everspin代理宇芯电子提供产品技术支持和产品应用解决方案。
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•在某些情况下，命令时间会有所不同。
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•突发类型/突发顺序仅支持ca 《2：0 = 000或100的连续突发类型。
•当mram与本标准之间的功能，时序，参数或条件相同时。
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