MIS结构将助力金半接触载流子注入效率的提升
众所周知，高aln组分algan材料的欧姆接触一直是困扰业界的一大难题。我司技术团队借助crosslight公司先进的半导体器件设计平台，发现当在n型algan层与金属接触电极之间插入绝缘薄层时 (i.e., metal/insulator/semiconductor:mis)，可有效屏蔽界面处的肖特基势垒，因此可显著抑制algan材料表面耗尽效应，使得电子以隧穿的方式高效地注入到器件内部(如图1所示)，技术团队把该结构应用在了深紫外发光二极管（duv led)中；此外，技术团队对不同绝缘层材料进行了相关计算分析，研究发现低介电常数的sio2材料可以最大程度上优化金半接触特性[1]。
为进一步验证该理论预测，技术团队在ti电极和弱掺杂的n型al0.60ga0.40n材料间插入1 nm厚的sio2薄层；通过c-v表征方法进行测试，发现较之参考器件(device r)而言,具有sio2薄层的n-al0.60ga0.40n层表面的电子浓度得到明显提高，如图2 所示[2]；同时理论计算的结果与实验测试结构达到了高度的吻合。
最后，我司技术团队将该结构应用在algan基duv led中，计算结果表明duv led的正向工作电压明显降低，器件电光转化效率显著提高，如图3所示[3]；技术团队后期将根据设计方案，对duv led器件进行制备与测试。
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