14nm FinFET的决斗，IBM死磕英特尔
当今，英特尔在finfet制程上仍属于佼佼者，其他半导体厂商正尝试开发3d finfet与英特尔抗衡。ibm同样在finfet制程上表现突出，这也是英特尔的主要竞争对手。
ibm有可能在今年底宣布开始投入14nm制程，得益于三星全球工厂的finfet技术。
ibm还会透露其高密度的存储器、可扩展的功率分配以及600平方厘米的soc。但是现在不确定的是这些技术是否依赖于三星。
从另一个角度来说，这一波竞争会直接给英特尔和ibm的客户带来利益。英特尔正努力开发其最新的finfet设计，而ibm的两大finfet技术选择可能更容易吸引用户。
显然，英特尔与ibm最大的战略区别是：英特尔还是一贯性的使用传统块状硅来支持其努力finfet设计，这也可以使其在2-4年内在竞争对手中保持领先。从2011年开始，英特尔已经在22nm ivy bridge技术和haswell微架构处理器中使用finfet制程。最近英特尔还宣布其成功移植finfet技术到14nm broadwell微架构，这是最新的core m处理器系列的核心。。
然而，ibm使用更昂贵的soi基板来进行开发，这样可以简化制造过程，而且可以实现芯片的低功耗性能。
有消息称，英特尔还将揭秘其加工“秘方”，包括参杂技术。
ibm另辟蹊径
ibm将正式公布利用soi制造14nm finfet的方法，并且此款14nm finfet比22nm的处理速度快25%。
与此同时，ibm也会展示全球最小、最密集的dram单元，仅仅只有0.0174平方厘米大小。ibm还拥有独有的制程，可同时实现低功耗和高速运行功能。该公司还会在此次竞争中大肆炫耀其15级铜互连技术来促进功率分配，这些都会成为ibm与英特尔之争的有力因素。
此次pk，英特尔被称以第二代14nm finfet晶体管作为代表，ibm则以高性能14nm soi finfet cmos技术作为筹码。
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