简单的将Vsupply 与负载接通的开关控制电路

图一所示电路为一简单的将vsupply 与负载接通的开关控制电路,vsupply 可以是正电
压、负电压或交流电压。输入电压的幅值只受到mosfet 的vds 的最大额定值的限制,图中所示
mosfet q1、q2 的vds极限值为50v,电路中采用的是max845芯片。
变压器的初级绕组和驱动ic 的工作电压是5v,它们在变压器的次级绕组产生一个隔离的
交变电压,由d1 和d2 整流产生一个供n 沟道mosfet 使用的10 伏的vgs电压。这样产生的vgs
是一个恒定的隔离电压,不会受到vds对地电压的变化的影响。由于负的vgs电压加在单个mosfet
上仍会有电流流过关断状态下的mosfet(由于内部寄生二极管处于正偏状态所引起)。故采用
两个mosfet 源极与源极对接,这样它们的内部寄生二极管反向对接,在任何情况下都不会有
电流流过。
关闭ic 后,mosfet 的vgs为0v,开关断开(sd=5v、开关断开,sd=0v、开关闭合)。开关
的速度取决于r1 的大小:r1 值小可以降低开关延时,但相应功耗较大(r1=1k 时,负载电流
为24 毫安)。若开关速度不是很关键,可以选取较大的r1 值将功耗电流降低到5 毫安。图2
是该电路在40v,1.2a 负载情况下的工作性能。
采用其它的开关技术有一定的不足之处,例如继电器,它的开关触点会抖动,功耗也较高。
功率mosfet 开关的vgs最大额定值(标准器件约为20 伏,逻辑电平器件约为15 伏)使得它很
难承受超过15 伏的电压。当然也可以对栅极电压进行电平变换,但这样会浪费功率,另外较
高电压所需的较大的电阻将使开关速度降低。

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