超耐用LDMOS提升功率：恩智浦发布BLF188XR
中国上海，2013年8月13日讯 – 恩智浦半导体（nxp semiconductors n.v.）（纳斯达克代码：nxpi）今日推出blf188xr – 其xr系列“超耐用” ldmos 射频功率晶体管的最新成员。blf188xr专为最严酷的工程环境而设计，真实条件下耐用性更强， 能够在5db压缩点承受超过65：1驻波比的严重负载失配。blf188xr能提供出色的1600 w峰值输出功率，其工作电压可高达60 v，并且仍能通过极为严格的耐用性测试。其他主要特性包括：更强大的集成esd保护，能使blf188xr用于c类操作模式；几种增强型功能，能使xr系列器件在多种应用中易于设计和调试。
blf188xr另一项令人关注的特性是其卓越的线性度，该特性使blf188xr成为高功率线性应用的极佳选择。blf188xr非常适合频率范围小于300 mhz的大规模工业、科学和医疗（ism）应用，而广受欢迎的blf578xr系列的建议使用频率范围为500 mhz以内。恩智浦本周在2013年ieee mtt-s国际微波研讨会（ims 2013）上展示blf188xr，要观看现场演示的相关视频，可点击该链接：http://v.youku.com/v_show/id_xnty3ndu2mzy0.html
恩智浦半导体射频功率事业部市场总监mark murphy表示：“我们的‘超耐用’系列目前具有更强的耐用性，完全满足最苛刻的射频负载要求，并且采用恩智浦最新的高电压ldmos技术，轻松超越vdmos的性能、耐用性和可靠性。全新的blf188xr借助blf578xr的成功之处，扩展了我们的产品组合，并带来额外的耐用性、线性度、功率和简化设计。凭借作为ism市场领先的射频功率产品供应商所创下的骄人业绩，我们已将blf188xr设计为极具吸引力的解决方案，在激光器、mri、射频照明和射频干燥以及vhf/fm广播发射机等各种低频应用。”
上市时间
合格客户现在可索取blf188xr工程样品。
链接
· 视频：恩智浦超耐用ldmos（blf188xr、blf184xr）：http://v.youku.com/v_show/id_xnty3ndu2mzy0.html
· 恩智浦blf188xr产品信息：http://www.cn.nxp.com/pip/blf188xr
· 恩智浦射频手册（第17版）：http://www.nxp.com/rfmanual
关于恩智浦半导体
恩智浦半导体nxp semiconductors n.v. （nasdaq： nxpi） 致力于为智能世界提供安全互联的解决方案。基于高性能混合信号的专业性，恩智浦在汽车、智能识别和移动行业，以及无线基础设施、照明、医疗、工业、个人消费电子和计算等应用领域不断创新。公司在全球逾25个国家都设有业务执行机构，2012年公司营业额达到43.6亿美元。更多信息请登录www.nxp.com 查询。
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恩智浦半导体射频功率事业部市场总监mark murphy表示：“我们的‘超耐用’系列目前具有更强的耐用性，完全满足最苛刻的射频负载要求，并且采用恩智浦最新的高电压ldmos技术，轻松超越vdmos的性能、耐用性和可靠性。全新的blf188xr借助blf578xr的成功之处，扩展了我们的产品组合，并带来额外的耐用性、线性度、功率和简化设计。凭借作为ism市场领先的射频功率产品供应商所创下的骄人业绩，我们已将blf188xr设计为极具吸引力的解决方案，在激光器、mri、射频照明和射频干燥以及vhf/fm广播发射机等各种低频应用。”
上市时间
合格客户现在可索取blf188xr工程样品。
链接
· 视频：恩智浦超耐用ldmos（blf188xr、blf184xr）：http://v.youku.com/v_show/id_xnty3ndu2mzy0.html
· 恩智浦blf188xr产品信息：http://www.cn.nxp.com/pip/blf188xr
· 恩智浦射频手册（第17版）：http://www.nxp.com/rfmanual
关于恩智浦半导体
恩智浦半导体nxp semiconductors n.v. （nasdaq： nxpi） 致力于为智能世界提供安全互联的解决方案。基于高性能混合信号的专业性，恩智浦在汽车、智能识别和移动行业，以及无线基础设施、照明、医疗、工业、个人消费电子和计算等应用领域不断创新。公司在全球逾25个国家都设有业务执行机构，2012年公司营业额达到43.6亿美元。更多信息请登录www.nxp.com 查询。
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