超低损耗功率器件IGBT提高电路效率
功率器件在功率转换中发挥作用。在功率器件中，尤其是igbt在大功率应用中发挥着重要作用。它的性能与节能直接相关，节能是我们社会的一个主要问题。瑞萨电子扩大了其 igbt 产品线，增加了第 8 代 （g8h），这是我们目前的主要产品第 7 代 （g7h） 的进一步发展。在g8h系列中，“薄晶圆”和“小型化”的最新技术改善了传导损耗和开关损耗之间的权衡，实现了前所未有的超低损耗。在不满足的情况下，我们还在开发一种新工艺 g9h，它可以进一步降低损耗。
以下是瑞萨特别关注的应用。
我们的目标是为能源管理领域做出贡献，例如可再生能源（风力发电和太阳能发电）、电网、电力存储和充电设备（ups 和 ev 充电器），以便在未来产生大量需求实现生态社会。
产品形式有晶圆和封装两种。阻断电压有600v～1250v的产品阵容。另外，针对大功率风力发电和电网的硅片产品也正在开发1800v（预计即将投产）。我们有可以根据客户的发展进行最佳选择的产品。
除此之外，我们在评估板上的效率评估结果，它被模拟为每个应用程序的电路，以便让您知道我们的设备在应用电路中也有良好的性能。例如，下图显示了逆变电路中的部分评估结果。您可以看到瑞萨 igbt 的良好性能，包括电路效率、作为产品的功率损耗和工作波形。
瑞萨的 igbt 以行业最高水平提供满足客户的低损耗和高效率性能！
未来，我们的功率分立产品团队将推出 mosfet、可控硅、晶闸管和热 fet 等产品系列，作为瑞萨功率器件的介绍系列。超低损耗功率器件。
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