MACE工艺制备黑硅的表面形态学和光学性能研究
本文研究了用两步金属辅助化学蚀刻(mace)工艺制备的黑硅（b-si）的表面形态学和光学性能，研究了银膜低温退火和碳硅片蚀刻时间短的两步mace法制备硼硅吸收材料。该过程包括银薄膜沉积产生的镓氮气，然后进行低温退火。采用不同的蚀刻剂浓度，在hf：h2o2：di水溶液中进行蚀刻70s，以体积比的形式表示。然后分析了蚀刻剂浓度对b-si表面形态和光学性质的影响。计算了最大电位短路电流密度（jsc(max)），以相对估算在300-1100nm光谱区域内b-si的光耦合性能。一旦在优化的b-si吸收材料上制备了太阳能电池，计算出的电位jsc(max)可以用来预测最大可实现的光电流。
本实验采用电阻率为1-10ω的p型单碳化硅晶片(250μm厚度)作为衬底，使用rca技术预先清洗晶片，以去除污染，为了制备b-si，采用射频溅射法，用15nm的银薄膜沉积c-si晶片，为了生产银nps，晶片在n2大气(流速为2l/min)下以230⁰c退火40min，然后将晶片蚀刻在含高频（50%）：过氧化氢（30%）：di水的水溶液中。该溶液的体积比为x：y：z，分别对应于hf、过氧化氢和di水的体积，本实验中使用的体积比分别为1：5：5、1：5：10和1：5：20，蚀刻工作在室温下进行，蚀刻时间为70s。
fesem用于研究和表征b-硅纳米孔的顶视图和横截面。利用fesem图像，利用imagej软件分析晶片上b-si纳米孔的平均直径、表面覆盖范围和粒间距离。为了研究b-si的光学性质，我们使用配有积分球的cary5000uv-vis-nir分光光度计测量了半球形反射(r)。从反射测量结果中，利用方程a=100%-r-t计算了吸收(a)。由于晶片不透明，因此假设传输(t)为零。
图1显示了在不同蚀刻浓度下，通过两步mace工艺制备的c-si参考片（未纹理）和b-si晶片的图像，体积比为1：5：5的碳硅晶片变成银灰色，经过mace过程后，以1：5：10和1：5：20的体积比，c-si晶片变成深黑色。为了更好地理解不同的蚀刻剂浓度如何影响晶片的表面形态特性，fesem图像如下所示。
本文介绍了我们华林科纳研究了不同蚀刻浓度制备的b-si的表面形貌和光学性质，该工作结合了两步中ag薄膜的低温退火和c-si的短蚀刻时间，在晶片上产生b-si纳米孔。从表面形态学结果来看，体积比为1：5：5的c-si晶片显示出平均直径为101.2nm的纳米孔，表面覆盖率约为40%。晶圆片上的一些区域仍然没有纹理，晶片表面的比例为1：5：10，被覆盖成致密而随机的b-si纳米孔，纳米孔的平均直径较低(84.1nm)，但表面覆盖率增加到51%，蚀刻浓度为1：5：20的b硅晶片产生直径为74.9nm的纳米孔，表面覆盖率为45%。在波长为600nm时，反射率为3%，这可以归因于晶片表面致密的b-硅纳米孔的折射率分级效应。这增强了整个300-1100nm波长区域的光吸收。
窥视美国2017年物联网和VR发展现状
大直径测径仪在橡胶阀座生产中起着重要作用
关于IEEE 802．15．4的CC2530无线数据收发设计
摩托罗拉放弃NVIDIA 投入高通怀抱?
液位开关的种类及区别
MACE工艺制备黑硅的表面形态学和光学性能研究
云平台如何选择？谷歌和微软还是AWS呢
FPGA中隐藏了一个安全漏洞
红米4今晚7点举行发布会 雷军林斌将亲临直播间与网友互动
美高森美发布了新一代先进的SmartFusion2 SoC FPGA评测工具套件
直击工业4.0的智能工厂解决方案展
小巧方便的非接触式验电器
智慧管廊：管廊安全监测系统、综合管廊环境实时在线监测系统
iPhone8今晚在美国发布,二手的苹果7拍出天价比iPhone8还要贵,欲意何为?
肉类水产品检测仪的应用及性能
现有感知系统的瓶颈 是自动驾驶迈进量产阶段的重要难题
伦敦奥运会主场馆“伦敦碗”：360度全彩LED显示屏
TCP建立连接概述及三次握手、四次挥手的流程
Bourns 推出四款全新大功率电流检测电阻系列 专为电力电子提供精确的电流测量
C语言中驱动法编程的代码案例
本实验采用电阻率为1-10ω的p型单碳化硅晶片(250μm厚度)作为衬底，使用rca技术预先清洗晶片，以去除污染，为了制备b-si，采用射频溅射法，用15nm的银薄膜沉积c-si晶片，为了生产银nps，晶片在n2大气(流速为2l/min)下以230⁰c退火40min，然后将晶片蚀刻在含高频（50%）：过氧化氢（30%）：di水的水溶液中。该溶液的体积比为x：y：z，分别对应于hf、过氧化氢和di水的体积，本实验中使用的体积比分别为1：5：5、1：5：10和1：5：20，蚀刻工作在室温下进行，蚀刻时间为70s。
fesem用于研究和表征b-硅纳米孔的顶视图和横截面。利用fesem图像，利用imagej软件分析晶片上b-si纳米孔的平均直径、表面覆盖范围和粒间距离。为了研究b-si的光学性质，我们使用配有积分球的cary5000uv-vis-nir分光光度计测量了半球形反射(r)。从反射测量结果中，利用方程a=100%-r-t计算了吸收(a)。由于晶片不透明，因此假设传输(t)为零。
图1显示了在不同蚀刻浓度下，通过两步mace工艺制备的c-si参考片（未纹理）和b-si晶片的图像，体积比为1：5：5的碳硅晶片变成银灰色，经过mace过程后，以1：5：10和1：5：20的体积比，c-si晶片变成深黑色。为了更好地理解不同的蚀刻剂浓度如何影响晶片的表面形态特性，fesem图像如下所示。
本文介绍了我们华林科纳研究了不同蚀刻浓度制备的b-si的表面形貌和光学性质，该工作结合了两步中ag薄膜的低温退火和c-si的短蚀刻时间，在晶片上产生b-si纳米孔。从表面形态学结果来看，体积比为1：5：5的c-si晶片显示出平均直径为101.2nm的纳米孔，表面覆盖率约为40%。晶圆片上的一些区域仍然没有纹理，晶片表面的比例为1：5：10，被覆盖成致密而随机的b-si纳米孔，纳米孔的平均直径较低(84.1nm)，但表面覆盖率增加到51%，蚀刻浓度为1：5：20的b硅晶片产生直径为74.9nm的纳米孔，表面覆盖率为45%。在波长为600nm时，反射率为3%，这可以归因于晶片表面致密的b-硅纳米孔的折射率分级效应。这增强了整个300-1100nm波长区域的光吸收。
窥视美国2017年物联网和VR发展现状
大直径测径仪在橡胶阀座生产中起着重要作用
关于IEEE 802．15．4的CC2530无线数据收发设计
摩托罗拉放弃NVIDIA 投入高通怀抱?
液位开关的种类及区别
MACE工艺制备黑硅的表面形态学和光学性能研究
云平台如何选择？谷歌和微软还是AWS呢
FPGA中隐藏了一个安全漏洞
红米4今晚7点举行发布会 雷军林斌将亲临直播间与网友互动
美高森美发布了新一代先进的SmartFusion2 SoC FPGA评测工具套件
直击工业4.0的智能工厂解决方案展
小巧方便的非接触式验电器
智慧管廊：管廊安全监测系统、综合管廊环境实时在线监测系统
iPhone8今晚在美国发布,二手的苹果7拍出天价比iPhone8还要贵,欲意何为?
肉类水产品检测仪的应用及性能
现有感知系统的瓶颈 是自动驾驶迈进量产阶段的重要难题
伦敦奥运会主场馆“伦敦碗”：360度全彩LED显示屏
TCP建立连接概述及三次握手、四次挥手的流程
Bourns 推出四款全新大功率电流检测电阻系列 专为电力电子提供精确的电流测量
C语言中驱动法编程的代码案例